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30 MHz带阻型压电石英晶体滤波器研制

靳宝安 , 王春程 , 王林力 , 张麦丽 , 袁桃利

人工晶体学报

采用三节3晶体的格型电路,设计和研制出了用于边带型通讯机中进行狭窄频带抑制的一种中高频带阻型晶体滤波器新产品.所解决的关键技术问题是:30 MHz中高频滤波晶体半成品的设计、插损,IL≤5 dB、3 dB带阻宽.度Bw3dB≤±13 kHz、带阻衰减(限波)≥45 dB等技术指标的实现.研制的结果较好的满足了设计要求.

关键词: 格型电路 , 全通网络 , 特征阻抗 , 带阻滤波器

ITO透明导电薄膜的制备及光电特性研究

马颖 , 张方辉 , 靳宝安 , 牟强 , 袁桃利

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.05.011

以氯化铟和氯化锡为前驱物,采用溶胶-凝胶法在玻璃基片上制备了ITO薄膜.研究了掺锡浓度、热处理温度和热处理时间等工艺条件对ITO薄膜光电特性的影响.制备的ITO薄膜的方阻为300Ω/□,可见光平均透过率为80%,电阻率为4×10-3Ω·cm,其光电特性已达到了TN-LCD透明电极的要求.

关键词: ITO薄膜 , 溶胶-凝胶法 , 方阻 , 透光率 , 液晶显示器

基于TBP掺杂的蓝光有机电致发光器件

姚毅 , 张方辉 , 靳宝安 , 蒋谦 , 刘丁涵 , 阎洪刚

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.03.016

采用真空蒸镀法,制备了结构为lTO/2T-NATA(15nm)/NPB(25nm)/ADN:TBP(30nm,X)/Alq3(30nm)/LiF(1nm)/AI(100nm)的蓝光器件,X为TBP的掺杂浓度(质量分数),分别取0%,1%,2%,3%,4%,5%.实验结果表明:采用2T-NATA作为空穴注入层和掺杂TBP能够改善器件的发光亮度和发光效率,当TBP掺杂浓度为3%时,器件的效果最好,可获得稳定的蓝光器件,亮度最高达到5 840 cd/m2,比不掺杂TBP的亮度提高约0.7倍;7 V时器件的最大电流效率为5.29 cd/A,流明效率为21 m/W,色坐标为(O.152 9,0.225 4).

关键词: TBP , 掺杂 , 蓝光 , 2T-NATA , OLED

21.4 MHz宽带分立式压电石英晶体滤波器研制

靳宝安 , 王林力 , 袁桃利

人工晶体学报

采用四节八晶体宽带型差接桥型电路,设计和研制出了一种用于通讯系统中进行较宽范围选频的中高频宽带型带通分立式压电石英晶体滤波器新产品.该产品在中心频率为21.4 MHz时达到160 kHz以上的通带宽度,相对带宽达到74‰.解决的关键技术问题是:滤波电路的设计、21.4 MHz中高频基频滤波晶体半成品的设计、160 kHz通带范围内波动调平的展宽线圈设计及滤波器的插损IL≤4.5 dB、6 dB带宽度Bw6dB≥168 kHz、通带波动≤1.5 dB、阻带衰减≥70 dB等技术指标的实现.

关键词: 宽带型 , 展宽线圈 , 相对带宽 , 分立式

2.45MHz单边带石英晶体滤波器研制

靳宝安 , 李新贝 , 王林力

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.051

采用一臂多晶体的差接桥型电路,通过合理的晶体设计及展宽线圈方法,解决了中等带宽单边带滤波器通带调平的问题,研制出了具有12KHz带宽且载频边衰减陡峭的2.45MHz分立式上边带晶体滤波器.该产品在-40℃~+85℃环境温度范围工作时,带内波动≤2dB,载频抑制接近80dB,矩形系数≤1.2,插入损耗≤2dB.

关键词: 单边带 , 载频抑制 , 展宽线圈 , 频率变换 , 传输曲线

70 MHz宽带晶体滤波器的研制

靳宝安 , 王林力 , 袁桃利

人工晶体学报

采用三节六晶体宽带差接桥型电路,设计和研制出了一种用于通讯系统进行较宽范围选频的中高频宽带型带通分立式压电石英晶体滤波器新产品.该产品在中心频率为70 MHz时达到130 MHz以上的通带宽度,相对带宽达到1.8‰.本设计实现了70 MHz中高频基频滤波晶体半成品的设计、130 MHz通带范围内波动的调平及滤波器的插损、阻带宽度、阻带衰减等技术指标.

关键词: 泛音 , 宽带型 , 基频 , 带通型

LST-92kHz型低频窄带石英晶体滤波器研制

靳宝安 , 王林力 , 马红霞

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2007.04.041

利用由两只压电石英长方片晶体所构成的单节差接桥型滤波电路,设计并研制了LST-92kHz型的低频、窄带、带通型压电石英晶体滤波器,较好地实现了器件所要求的各项技术指标.所解决的关键技术问题是:92kHz低频滤波晶体半成品的设计、Bw3dB≥±5Hz的窄带宽的实现、在-10℃~+50℃工作温度范围内确保中心频率偏移不大于±1Hz等.晶体的切型为x+5°、面弯曲振动模式.

关键词: 窄带 , 切型 , 面弯曲 , 低频

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