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新型TFT-LCD黑矩阵的细线化研究

靳福江 , 卢兵 , 朱凤稚 , 罗峰 , 柳星 , 代伟男 , 刘华 , 范峻

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20142904.0521

介绍了新型TFT LCD黑矩阵细线化研究.在原有工艺设备的基础上,突破设备局限和工艺瓶颈,通过引入相掩膜技术和背面曝光设备,达到进一步减小黑矩阵线宽的效果.实验测试结果显示:在普通掩膜板设计上应用相位移掩膜板技术,降低透光区边缘衍射和散射现象,使曝光后黑矩阵线宽降低1.0~1.5 μm.在原有工艺基础上添加背面曝光工艺,使黑矩阵材料在显影后进行背面曝光预固化,改善黑矩阵图形形貌,进一步减小黑矩阵线宽达到0.3~0.5 μm.通过新工艺和新设备的引入和应用,黑矩阵线宽整体降低1.5~2.0 pm,达到5.0~5.5 μm,可以满足目前高PPI(单位面积像素个数)产品对透过率和对比度要求.

关键词: 黑矩阵 , 线宽 , 相位移掩膜板 , 背面曝光

ZnO一维纳米材料的热蒸发法制备及光学性能研究

靳福江 , 殷莉 , 李珍 , 李飞 , 魏彦芳

硅酸盐通报

以Zn粉为原料,在1050℃空气气氛中采用热蒸发法成功制备了ZnO一维纳米材料.探讨了覆盖瓷舟对ZnO纳米晶的形成及其形貌和光学性能的影响.X射线衍射(XRD)分析表明,产物是纯六方纤锌矿结构的ZnO;扫描电子显微镜(SEM)形貌观察显示,产物为ZnO纳米线、微纳米棒和四角针状ZnO;光致发光谱(PL)表明ZnO一维纳米材料主要有3个蓝光发光带;紫外-可见光光谱(UV-vis)显示ZnO一维纳米材料能有效的催化降解次甲基蓝溶液.

关键词: ZnO一维纳米材料 , 光致发光 , 光催化

含有柱状隔垫物彩膜基板的剥离技术

靳福江 , 王在清 , 范峻 , 刘阳升 , 曾望明

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20132802.0220

介绍了一种含有柱状隔垫物彩膜基板的剥离技术.采用层数顺序方法,两步剥离工艺.第一步,采用剥离液,进行260 s,迅速剥离柱状隔垫物层;第二步,刻蚀液进行650 s和剥离液进行650 s共同作用,先后剥离玻璃基板上透明导电氧化铟锡层、颜色层,挡光层.使之剥离后成为可以再次利用的干净白玻璃.

关键词: 剥离技术 , 柱状隔垫物层 , 金属氧化铟锡 , 刻蚀液 , 剥离液

ZnO纳米棒水热法制备及其发光性能

靳福江 , 李珍 , 李飞

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.05.009

采用水热法在玻璃基底上成功制备出了ZnO纳米棒.用x射线衍射仪(xRD)和扫描电子显微镜(SEM)对ZnO纳米棒的晶体结构和表面形貌进行了表征,初步探讨了ZnO纳米棒的生长机理;同时对ZnO纳米棒的光致发光性能进行测量,分析了水热温度和反应时间对ZnO纳米棒光致发光性能的影响.结果表明:ZnO纳米棒呈现六方纤锌矿结构,具有沿(002)晶面择优生长特征;随着水热反应温度的升高,ZnO纳米棒的发光强度逐渐增强;随着反应时间的延长,ZnO纳米棒发光强度在1~3 h内增强,而在3~10 h反而减弱.

关键词: ZnO纳米棒 , 水热法 , 生长机理 , 发光性能

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