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nc-Si:H薄膜的内应力特性研究

韦文生 , 王天民 , 张春熹 , 李国华 , 韩和相 , 丁琨

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.03.010

测试了采用 PECVD生长的氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜的内应力.利用 XRD、 Raman、AFM、HRTEM研究了nc-Si:H薄膜的微结构,用全场薄膜应力测试仪测量了 nc-Si:H薄膜的内应力.结果表明: nc-Si:H薄膜的内应力与薄膜的微结构密切相关,强烈依赖于制备工艺.压应力随掺杂...

关键词: nc-Si:H薄膜 , 微结构 , 内应力

掺硼nc-Si:H薄膜中纳米硅晶粒的择优生长

韦文生 , 王天民 , 张春熹 , 李国华 , 韩和相 , 丁琨

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.01.006

利用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)生长的系列掺硼氢化纳米硅 (nc- Si:H)薄膜中纳 米硅晶粒( nanocrystalline silicon,简称 nc- Si)有择优生长的趋势.用 HRTEM、 XRD、 Raman等方 法研究掺硼 nc- Si:H薄膜的微观结构时发现: 掺硼 ...

关键词: nc-Si:H薄膜 , 掺硼 , 纳米硅晶粒 , 择优生长 , 电场

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