韩立安
,
王瑞平
,
渊小春
,
班丽瑛
,
常琳
,
孟泉水
,
贺拥军
稀有金属材料与工程
通过射频磁控溅射法在单晶LaAlO3(100)衬底上成功地外延生长了膜厚为90.8 nm的La0.875Na0.125MnO3薄膜.用X射线衍射仪、原子力显微镜、超导量子干涉仪、直流四探针法对其进行了表征.结果表明,薄膜为赝立方钙钛矿结构,具有良好的(100)外延取向和光滑表面.居里温度Tc=275 K.在居里温度附近,发生铁磁-顺磁转变.此材料呈现出一种典型的自旋玻璃特性,是由于应力造成的.薄膜的电阻率随温度变化的ρ-T曲线出现双峰.高温电阻峰TP1出现在居里温度附近,来源于铁磁金属体向顺磁绝缘体的转变.而低温电阻峰TP2出现在T-178 K,是由于相分离引起的.在4 T强磁场下,相分离现象消失.另外,薄膜的磁电阻曲线也呈现出双峰特征.
关键词:
La0.875Na0.125MnO3外延膜
,
相分离
,
CMR效应
潘峰
,
陈长乐
,
文军
,
金克新
,
罗炳成
,
韩立安
,
陈钊
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.05.006
采用射频磁控溅射方法,在Si(111)基片上制备出Zn_(0.85)Mg_(0.13)Al_(0.020)薄膜.X射线衍射(XRD)证实Zn_(0.85)Mg_(0.13)Al_(0.020)薄膜为单相六角钎锌矿结构,衬底温度从室温升高到500℃,薄膜沿c轴择优生长.原子力显微镜(AFM)测量显示薄膜表面粗糙度随衬底温度的升高由9.32nm增加到19.94nm.荧光光谱仪(PL)测量显示薄膜在397nm附近有强的紫光发射,在486nm处有弱的蓝光峰,随衬底温度的升高紫峰强度提高15倍.在可见光范围内,薄膜平均透过率随衬底温度的升高由75%增加到95%,薄膜光学带隙分别为3.18,3.18和3.19eV.分析表明紫峰来自于自由激子复合,蓝峰由俘获在施主能级Zn填隙中的电子与俘获在受主能级Zn空位中的空穴复合而产生发光.
关键词:
Zn_(0.85)Mg_(0.13)Al_(0.020)薄膜
,
衬底温度
,
结构
,
光致发光
赵省贵
,
陈长乐
,
金克新
,
罗炳成
,
高国棉
,
陈钊
,
韩立安
功能材料
研究了钙钛矿锰氧化物La2/3Sr1/3MnO3和Pr2/3Sr1/3MnO3单晶薄膜的激光诱导电阻变化特性.低温铁磁金属相,激光诱导使薄膜的电阻增大,而在顺磁绝缘相则电阻减小,同时薄膜的绝缘体-金属相变(IMT)转变温度Tp向低温方向移动.对于Pr2/3Sr1/3MnO3薄膜,当激光功率为22mW时,光致电阻相对变化的最大值约为9.6%.光诱导效应致使薄膜的电阻发生变化,并使其IMT的转变温度点向低温方向移动,主要是由于光子能激发eg向下电子的跃迁,改变体系自旋极化方向.
关键词:
钙钛矿薄膜
,
光诱导效应
,
电子自旋
高国棉
,
陈长乐
,
邓小龙
,
韩立安
,
王永仓
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2007.01011
用脉冲激光沉积(PLD)法制备了钙钛矿锰氧化物La 0.9 Ce 0.1 MnO3 (LCEMO)单晶薄膜．X射线衍射分析表明, 薄膜具有钙钛矿赝立方结构, 且沿(100)方向择优生长; 电阻-温度关系给出其存在金属-绝缘体相变和庞磁电阻(CMR)效应, 相变温度(T MI)为213K; 在0.1T的磁场下, 其磁电阻峰值为38.5%, 对应的温度为153K; 其电阻在低温区满足R=R0+R1T2+R2T 4.5, 在高温区符合小极化子输运．薄膜在绿激光(532nm, 40mW)作用下T MI向低温方向移动; 这主要是由于激光激励下体系的自旋发生了变化．且电阻与时间的变化曲线满足关系: R(t)=R 0+Aexp(-t/τ), 说明薄膜在激光作用下具有明显的与自旋相关的弛豫现象．
关键词:
LCEMO薄膜
,
photo-induced
,
transport properties
,
electron-doped
韩立安
,
陈长乐
稀有金属材料与工程
利用射频磁控溅射法在单晶LaAlO3(100)衬底上成功的外延生长了La0.67Pb0.33MnO3薄膜.用X射线衍射、超导量子干涉仪、直流四探针法对其进行了表征.结果表明,薄膜为赝立方钙钛矿结构,晶胞参数为a=3.861 rm,具有良好的单晶外延结构.居里温度TC(=335 K)非常接近金属绝缘体转变温度TMI(=340 K).在居里温度附近,发生铁磁-顺磁转变,导电特性由金属特征向半导体特征过渡.此材料呈现出的一种典型自旋玻璃特性是由应力造成的.磁电阻在居里点达到极大值,当H=1.0 T时,磁电阻的极大值为24.3%,输运性质表明,T＜TMI时,电阻率满足公式ρ(T)=ρ0+ρ1T2+ρ2T4.5,此输运机制是由电子造成的;当T＞TMI时,符合小极化子模型,输运机制是由于小极化子近邻跃迁引起的.
关键词:
La0.67Pb0.33MnO3外延膜
,
自旋玻璃
,
输运特性
,
小极化子
高国棉
,
陈长乐
,
王建元
,
韩立安
,
王永仓
,
宋宙模
稀有金属材料与工程
用脉冲激光沉积(PLD)法在LaAlO3单晶衬底上制备了VIA族非金属元素Te掺杂的La0.82Te0.18MnO3(LTMO)薄膜.X射线衍射分析表明,薄膜具有钙钛矿赝立方结构,且沿(012)方向择优生长;电阻-温度关系显示,该材料存在金属-绝缘体转变特性和庞磁电阻(CMR)效应;在0.7 T的磁场作用下,薄膜的磁电阻最大值为30.6%,对应的温度在263 K.而室温(303 K)磁电阻值为4.8%;拟合分析表明,薄膜在低温区是单磁子散射,在高温区满足小极化子输运模型.在波长为532 nm的绿激光作用下,在253 K,光致电阻变化率达到最大值33.6%;分析认为这可能是由于光激发会改变材料中的磁有序,减弱双交换作用,进而改变电子的输运性质.
关键词:
LTMO薄膜
,
电子掺杂
,
CMR效应
,
光诱导效应
高国棉
,
陈长乐
,
韩立安
,
王建元
,
崔海涛
功能材料
用脉冲激光沉积法在LaAlO3衬底上制备了La0.88Te0.12MnO3-δ(LTeMnO)薄膜.X射线衍射分析表明,薄膜具有钙钛矿赝立方结构,且沿(012)方向择优生长;电阻率-温度关系显示样品发生了金属绝缘体转变和庞磁电阻效应,转变温度为278K;在0.4T的磁场下,其磁电阻最大值为16.9%,对应的温度为223K.在绿激光作用下,光致电阻率变化最大值为13.2%;原因可能是激光作用影响了体系中载流子的浓度,进而影响了体系的自旋.
关键词:
薄膜
,
光诱导效应
,
CMR效应
温晓莉
,
陈长乐
,
陈钊
,
韩立安
,
高国棉
材料导报
介绍了ZnO基半导体薄膜材料的基本性质和制备手段,综述了其在发光方面及磁性方面的研究进展.详细探讨了ZnO薄膜材料的发光机理、P型掺杂、p-n结的生长和稀磁性能,并对国内外的发展情况和存在问题进行了分析和探讨.
关键词:
ZnO
,
薄膜
,
P型掺杂
,
p-n结
,
磁性能
韩立安
,
孟泉水
,
常琳
,
廖少俊
,
陈长乐
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00683
通过射频磁控溅射在单晶LaAlO3(100)衬底上生长了膜厚为120nm的La0.75Na0.25MnO3外延膜. 通过X射线衍射、超导量子干涉仪、直流四探针法对其进行了表征. 结果表明, 薄膜为(100)取向外延膜. 居里温度TC=270K, 在居里温度附近, 发生铁磁-顺磁转变. 此材料呈现出典型的自旋玻璃特性, 是由于应力造成的. 在室温附近, 此材料在1T磁场下, 其磁电阻极大值为40.3％. 80K<T<210K时, 其输运机制为电子-电子散射, 电阻率满足ρ=ρ0+ρ1T2+ρ2T5; 220K<TT>TMI时, 其输运机制满足小极化子模型.
关键词:
La0.75Na0.25MnO3外延膜
,
magnetic property
,
transport property
高国棉
,
陈长乐
,
邓小龙
,
韩立安
,
王永仓
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324x.2007.05.046
用脉冲激光沉积(PLD)法制备了钙钛矿锰氧化物La0.9Ce0.1MnO3(LCEMO)单晶薄膜.X射线衍射分析表明,薄膜具有钙钛矿赝立方结构,且沿(100)方向择优生长;电阻-温度关系给出其存在金属-绝缘体相变和庞磁电阻(CMR)效应,相变温度(TMI)为213K;在0.1T的磁场下,其磁电阻峰值为38.5%,对应的温度为153K;其电阻在低温区满足R=R0+RiT2+R2T4.5,在高温区符合小极化子输运.薄膜在绿激光(532nm,40mW)作用下TMI向低温方向移动;这主要是由于激光激励下体系的自旋发生了变化.且电阻与时间的变化曲线满足关系:R(t)=R0+Aexp(-t/τ),说明薄膜在激光作用下具有明显的与自旋相关的弛豫现象.
关键词:
LCEMO薄膜
,
光诱导
,
输运特性
,
电子掺杂
