郭天雷
,
赵发展
,
刘刚
,
海潮和
,
韩郑生
,
袁国顺
,
李素杰
,
姜明哲
,
张英武
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.03.011
对辐照加固的部分耗尽(Partially Depleted)SOI 8位微控制器(MCU)的总剂量辐照特性进行研究.该微控制器功能完全兼容intel MCS-51系列的80C51微控制器,采用1.2μm辐照加固的PDSOI CMOS工艺技术制备,芯片尺寸约为6.4mm×6.8mm.对该微控制器及同工艺条件下的MOSFET进行Co60辐照试验表明,在工作电压5V下,其总剂量加固水平高达1×106rad(Si),完全满足航空航天领域应用的要求.
关键词:
部分耗尽SOI
,
微控制器
,
总剂量
,
辐照加固
王文博
,
王晓慧
,
黄苒
,
欧毅
,
杜寰
,
夏洋
,
韩郑生
,
冯亚云
,
凌志华
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.05.021
介绍了LCoS技术的特点与发展现状,LCoS性能的优劣与硅基片平整度有直接关系,着重进行了LCoS微显示驱动技术表面形貌的研究与改进.通过严格控制工艺步骤,降低台阶高度;合理设计版图布局,使台阶叠加在隔离像素区域的沟槽中,这样既能实现像素电极区域的局部平坦化,又因为沟槽不作为显示区域,对整体显示效果影响较小.
关键词:
LCOS
,
微显示
,
CMP
,
镜面电极
马飞
,
黄苒
,
赵博华
,
郝丽芳
,
卢颖飞
,
杜寰
,
韩郑生
,
林斌
,
倪旭翔
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20122703.0364
研究了硅基液晶(LCoS)场序彩色显示驱动系统的设计与实现.该系统以FPGA作为主控芯片,用两片高速DDR2 SDRAM作为帧图像存储器.通过对图像数据以帧为单位进行处理,系统将并行输入的红、绿、蓝数据转换成申行输出的红、绿、蓝单色子帧.将该驱动系统与投影光机配合,实现了分辨率为800×600的LCoS场序彩色显示.
关键词:
LCoS
,
场序彩色显示
,
FPGA
,
DDR SDRAM
王晓慧
,
王文博
,
陈淑芬
,
孟彦龙
,
杜寰
,
韩郑生
,
赵毅
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.01.015
由于微型显示像素面积的限制,硅基有机发光微显示像素驱动电路需要实现足够小的驱动电流.文章提出的三管电压控制型像素驱动电路与常规的采用电流镜电路的电流控制型像素驱动电路都能实现微显示所需的小电流驱动.利用Synopsys公司的H-spice软件对两种电路仿真比较,发现电流控制型电路具有线性灰度和较宽的有效灰度范围,但是通过调整电压控制型电路中与OLED并联的晶体管的宽长比,即可使其有效灰度范围与电流控制型电路可比.同时也发现电流控制型电路的功耗是电压控制型电路的4倍以上,且电路形式较复杂,工艺要求较高.所以三管电压控制型电路更适合于硅基有机发光微显示驱动电路.
关键词:
硅基有机发光微显示驱动
,
电压控制型
,
电流控制型
,
像素驱动
,
小电流驱动
赵洪辰
,
海潮和
,
韩郑生
,
钱鹤
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.01.016
在商用 SIMOX衬底上制备了部分耗尽抗辐照 H型栅 NMOSFETs,使用的主要技术手段有: 氮化 H2- O2合成栅介质加固正栅;增加体区掺杂,以提高背栅阈值电压;采用 H型栅结构,消除边 缘寄生晶体管.结果表明,在经受 1E6rad(Si)的辐照后,器件特性没有明显恶化.
关键词:
SOI
,
总剂量辐照
,
氮化H2-O2合成栅介质
,
H型栅
刘新宇
,
孙海峰
,
刘洪民
,
韩郑生
,
海潮和
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.02.015
对一种CMOS/SOI4kb静态随机存储器进行了研究,其电路采用1k×4的并行结构体系.为了提高电路的速度和降低功耗,采用地址转换监控Address-Translate-Detector(ATD)、两级字线Double-Word-Line(DWL)和新型的两级灵敏放大等技术,其地址取数时间为30ns,最小动态工作电流为30mA(工作电压5V,工作频率2MHz),静态维持电流为1mA.CMOS/SOI4kb静态随机存储器采用1.2μm单层多晶、双层金属的SOICMOS抗辐照工艺技术,其六管存储单元尺寸较小:12.8μm×8.4μm,芯片尺寸为:3.6mm×3.84mm.
关键词:
ATD电路
,
DWL技术
,
抗辐照工艺
宋文斌
,
许高博
,
曾传滨
,
韩郑生
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.06.012
采用金属硅化物扩散层分隔技术制备了源漏区具有不同硅化物挡板尺寸的环型栅PD SOIMOSFETs,通过CLP实验数据分析器件的硅化物隔离档板的尺寸对SOI NMOSTET抗ESD能力以及对多指栅ggnMOS管子导通均匀性的影响.结果显示,采用了硅化物隔离挡板的管子二次击穿电压明显提高;随着挡板尺寸增加,多指栅的导通均匀性得到明显改善.
关键词:
绝缘体上硅SOI
,
ESD
,
源漏硅化物
,
二次击穿
,
导通电阻
,
栅接地NMOS器件
杨荣
,
李俊峰
,
钱鹤
,
韩郑生
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.02.011
提出了包含射频有源和无源器件的SOI集成结构及工艺方案,在同一SIMOX衬底上制作了射频LDMOS、NMOS、电感、电容、电阻和变容管.核心的LDMOS、NMOS和电感器件均获得了优良的电学特性:0.25μm栅长的LDMOS截止频率和关态击穿电压分别为19.3 GHz和16.1 V;而0.25μm栅长的NMOS对应参数则为21.3 GHz和4.8 V;采用开发的局部介质增厚技术后,2 nH、5 nH、10 nH螺旋电感的最大品质因数分别达到了6.5、5.0、4.0,相对于不采用此技术的电感(最大品质因数分别为4.3、3.2、2.3),分别改善了77%,58%,49%.
关键词:
射频
,
绝缘硅
,
LDMOS
,
NMOS
,
电感
,
结构
,
制造
