赵启涛
,
侯立松
,
黄瑞安
,
顾四朋
无机材料学报
以硝酸镉与硫代乙酰胺为起始物,采用DMF为溶剂,在低温(～50℃)下通过软化学法合成了CdS纳米棒,其直径为7～20nm,长度达500nm.通过XRD、TEM、SAED以及EDS对纳米棒的结构和成分进行了表征;通过引入乙酰丙酮(AcAc)控制钛酸丁酯水解,形成的溶胶中分子间网络孔道为CdS纳米棒提供了有效的生长模板.
关键词:
CdS纳米棒
,
sol templates
,
controlled growth
顾四朋
,
侯立松
无机材料学报
用磁控溅射法制备了Ge-Sb-Te和Ge-Sb-Te-O相变材料薄膜,由热处理前后薄膜的X射线衍射(XRD)发现,热处理使薄膜发生了从非晶态到晶态的相变.通过非晶态薄膜粉末的示差扫描量热(DSC)实验测出不同加热速率条件下的结晶峰温度,并计算了材料的摩尔结晶活化能、原子激活能和频率因子.根据结晶动力学结晶活化能E判据得出结论为:与Ge-Sb-Te相比,掺杂氧后的Ge-Sb-Te更容易析晶,具有更快的结晶速率.
关键词:
Ge-Sb-Te相变薄膜
,
oxygen-doping
,
XRD
,
DSC
,
crystallization kinetics
顾四朋
,
侯立松
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.06.029
用磁控溅射法制备了Ge-Sb-Te和Ge-Sb-Te-O相变材料薄膜,由热处理前后薄膜的X射线衍射(XRD)发现,热处理使薄膜发生了从非晶态到晶态的相变.通过非晶态薄膜粉末的示差扫描量热(DSC)实验测出不同加热速率条件下的结晶峰温度,并计算了材料的摩尔结晶活化能、原子激活能和频率因子.根据结晶动力学结晶活化能E判据得出结论为:与Ge-Sb-Te相比,掺杂氧后的Ge-Sb-Te更容易析晶,具有更快的结晶速率.
关键词:
Ge-Sb-Te相变薄膜
,
氧掺杂
,
XRD
,
DSC
,
结晶动力学
赵启涛
,
侯立松
,
黄瑞安
,
顾四朋
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.03.005
以硝酸镉与硫代乙酰胺为起始物,采用DMF为溶剂,在低温(～50°C)下通过软化学法合成了CdS纳米棒,其直径为7～20nm,长度达500nm.通过XRD、TEM、SAED以及EDS对纳米棒的结构和成分进行了表征;通过引入乙酰丙酮(AcAc)控制钛酸丁酯水解,形成的溶胶中分子间网络孔道为CdS纳米棒提供了有效的生长模板.
关键词:
CdS纳米棒
,
溶胶模板
,
控制生长
顾四朋
,
侯立松
,
赵启涛
材料研究学报
用磁控溅射法制备了掺杂Sn的Ge2Sb2Te5相变材料薄膜,研究了Sn含量对结晶性能的影响. 薄膜的X射线衍射(XRD)表明,热处理使薄膜发生了从非晶态到晶态的相变, 并出现Sn-Te相.通过示差扫描量热(DSC)实验测出在不同加热速率下非晶态薄膜粉末的结晶峰温度,计算了材料的结晶活化能. 根据结晶动力学分析和结晶活化能数据,掺杂Sn后的Ge-Sb-Te具有更高的结晶速率,用于光存储时将具有更高的擦除速度.
关键词:
无机非金属材料
,
Ge2Sb2Te5
,
Sn-doping
,
thermal phase-change
顾四朋
,
侯立松
,
赵启涛
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2004.02.013
用磁控溅射法制备了掺杂Sn的Ge2Sb2Te5相变材料薄膜,研究了Sn含量对结晶性能的影响.薄膜的X射线衍射(XRD)表明,热处理使薄膜发生了从非晶态到晶态的相变,并出现Sn-Te相.通过示差扫描量热(DSC)实验测出在不同加热速率下非晶态薄膜粉末的结晶峰温度,计算了材料的结晶活化能.根据结晶动力学分析和结晶活化能数据,掺杂Sn后的Ge-Sb-Te具有更高的结晶速率,用于光存储时将具有更高的擦除速度.
关键词:
无机非金属材料
,
Ge2Sb2Te5
,
Sn掺杂
,
热致相变
,
结晶活化能
