李俊杰
,
金曾孙
,
吴汉华
,
林景波
,
金哲
,
李哲奎
,
顾广瑞
,
盖同祥
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2004.01.019
为了研究非晶CNx薄膜的热稳定性,采用射频磁控溅射方法沉积了非晶CNx薄膜样品,并在真空中退火至900℃,利用FTIR,Raman和XPS谱探讨了高温退火对CNx薄膜化学成分及键合结构的影响.研究表明:CNx薄膜样品中N原子分别与sp、sp2和sp3杂化状态的C原子相结合,退火处理极大地影响了CN键...
关键词:
CNx薄膜
,
退火
,
热稳定性
,
键合结构
,
磁控溅射
李卫青
,
顾广瑞
,
李英爱
,
何志
,
冯伟
,
刘丽华
,
赵春红
,
赵永年
功能材料
用RF磁控溅射的方法在最佳沉积条件下在Si(100)基底上沉积了纳米氮化硼薄膜,然后对薄膜在真空度低于5×10-4Pa、温度分别为800℃和1000℃条件下进行了表面热处理,分别用红外光谱、原子力显微镜以及不同退火温度的场发射试验对薄膜进行了研究,结果表明表面热处理对BN薄膜的表面形貌没有明显影响,...
关键词:
氮化硼薄膜
,
表面热处理
,
场发射
,
发射电流
,
阈值电场
李卫青
,
顾广瑞
,
李英爱
,
何志
,
冯伟
,
刘丽华
,
赵春红
,
赵永年
功能材料
用RF磁控溅射的方法在Si(100)基底上沉积了纳米氮化硼薄膜,然后分别用氢、氧等离子体对薄膜表面进行了处理,用红外光谱、原子力显微镜、光电子能谱以及场发射试验对薄膜进行了研究,结果表明氢等离子体使BN薄膜表面NEA增加,阈值电场降低,发射电流明显增大.氧等离子体处理对BN薄膜的场发射特性影响不大,...
关键词:
氮化硼薄膜
,
场发射
,
表面处理
,
阈值电场
,
发射电流
顾广瑞
,
李英爱
,
陶艳春
,
何志
,
殷红
,
李卫青
,
赵永年
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2003.01.003
利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了不同厚度(54～135nm)的纳米氮化硼(BN)薄膜.红外光谱分析表明,BN薄膜结构为六角BN(h-BN)相(1 380cm-1和780cm-1).在超高真空系统中测量了不同膜厚BN薄膜的场发射特性,发现BN薄膜的场发射特性与膜厚关系很大,阈值电...
关键词:
纳米氮化硼薄膜
,
场发射
,
厚度
,
功函数
顾广瑞
,
金逢锡
,
李全军
,
盖同祥
,
李英爱
,
赵永年
功能材料
利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了氮化硼(BN)薄膜,红外光谱测试表明,所有样品为六角氮化硼(h-BN)结构.经过氢、氧等离子体处理之后,在超高真空系统中测量了BN薄膜的场发射特性.实验结果表明,经过氢等离子体处理后BN薄膜的场发射开启电场明显降低,发射电流明显升高;而氧等离子体...
关键词:
氮化硼薄膜
,
场发射
,
氢等离子体
,
氧等离子体
顾广瑞
,
李英爱
,
陶艳春
,
何志
,
赵永年
无机材料学报
研究了在纳米厚度范围内,TiO2薄膜的导电性与薄膜厚度和基底材料的关系.利用射频磁控溅射方法,使用高纯Ti(99.99％)靶,通入Ar和O2的混合气体,制备了TiO2薄膜,薄膜膜厚15～225nm.在室温下测量了不同厚度TiO
关键词:
TiO2薄膜
,
conductivity
,
resistivity
,
transfer of electrons
顾广瑞
,
李英爱
,
陶艳春
,
何志
,
赵永年
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.06.040
研究了在纳米厚度范围内,TiO2薄膜的导电性与薄膜厚度和基底材料的关系.利用射频磁控溅射方法,使用高纯Ti(99.99%)靶,通入Ar和O2的混合气体,制备了TiO2薄膜,薄膜膜厚15～225nm在室温下测量了不同厚度TiO2薄膜的电阻率,发现TiO2薄膜的导电性,先后在导体、半导体和绝缘体范围变化...
关键词:
TiO2薄膜
,
导电性
,
电阻率
,
界面电子转移
李全军
,
吴汉华
,
汪剑波
,
顾广瑞
,
金曾孙
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.02.037
在Na2CO3-Na2SiO3电解液中,利用微弧氧化技术在纯钛试样表面制备了氧化膜,并研究了脉冲频率(500～8000Hz)对膜层生长、相组成及表面形貌的影响.结果表明:当脉冲频率＜2000Hz时,膜层的生长速率随频率增加迅速减小,当＞4000Hz时,其生长速率几乎和频率无关.微弧氧化膜主要由锐钛矿...
关键词:
微弧氧化
,
脉冲频率
,
表面形貌
,
相组成
顾广瑞
,
何志
,
李英爱
,
王翠
,
冯伟
,
赵永年
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2002.01.008
研究了氮化硼(BN)薄膜的场发射特性与不同基底偏压和不同膜厚的关系.在磁控溅射反应器中,使用高纯六角氮化硼(h-BN)靶,通入Ar和N2的混合气体,制备出了纳米BN薄膜.溅射是在基底加热470℃和总压力为1.2Pa的条件下进行的.在超高真空系统中测量了不同膜厚和不同基底偏压的BN薄膜的场发射特性,发...
关键词:
BN薄膜
,
场发射
,
偏压
