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γ-CuI晶体的发光衰减时间和对X射线的能量响应

李锋锐 , 顾牡 , 何徽 , 畅里华 , 温伟峰 , 李泽仁 , 陈亮 , 刘金良 , 欧阳晓平 , 刘小林 , 刘波 , 黄世明 , 倪晨

无机材料学报 doi:10.15541/jim20160262

采用溶剂蒸发法生长出透明的带隙宽度为2.96 eV的γ-CuI晶体.在紫外光激发下,该晶体在410、430 nm处分别呈现有近带边发射峰,另在720 nm附近还出现一个与样品碘缺陷有关的宽发射带.经碘退火后,样品720 nm发射带被基本抑制,而在420 nm处出现了一个更强的近带边发射峰.使用扫描相机分别测量了γ-CuI晶体各发射峰(带)的衰减时间谱,其中近带边发射峰的发光衰减时间常数均在数十皮秒量级,表明γ-CuI晶体具有极快的时间响应特性;而720 nm发射带的发光衰减时间常数主要在数十纳秒量级.X射线激发下,γ-CuI晶体具有435 nm近带边发射峰和680 nm发射带,其近带边发射对X射线能量响应的测量结果表明,当Ex<49.1 keV时,γ-CuI晶体闪烁光快分量对X射线的探测效率相对较高.

关键词: γ-CuI晶体 , 超快闪烁体 , 衰减时间 , 能量响应

大尺寸PWO:(Sb,Y)晶体光谱特性的表征研究

谢建军 , 袁晖 , 杨培志 , 沈炳孚 , 曹顿华 , 廖晶莹 , 顾牡 , 殷之文

无机材料学报

报道了用改进的Bridgmam法生长的大尺寸PbWO4:(Sb,Y)晶体的光谱特性的表征研究.通过对依次切自大尺寸PbWO4:(Sb,Y)毛坯晶体的籽晶端、中间部位和顶端三块晶体(~23mm×23mm×20mm)的透射光谱、X射线激发发射光谱、紫外激发与发射光谱、发光衰减寿命、光产额和辐照损伤等方面的光谱性能测试,结果表明,Sb、Y双掺杂能显著改善PbWO4晶体的光谱性能,使晶体在短波330-420nm范围的透过率明显提高,光产额增加,抗辐照能力增强.但从籽晶端到顶端的性能存在一定的差异,说明大尺寸的PbWO4:(Sb,Y)晶体的均匀性还有待提高.

关键词: 改进的Bridgman法 , PbWO4:(Sb , Y) , spectroscopic properties

大尺寸PWO:(Sb,Y)晶体光谱特性的表征研究

谢建军 , 袁晖 , 杨培志 , 沈炳孚 , 曹顿华 , 廖晶莹 , 顾牡 , 殷之文

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.05.012

报道了用改进的Bridgmam法生长的大尺寸PbWO4:(Sb,Y)晶体的光谱特性的表征研究.通过对依次切自大尺寸PbWO4:(Sb,Y)毛坯晶体的籽晶端、中间部位和顶端三块晶体(~23mm×23mm×20mm)的透射光谱、X射线激发发射光谱、紫外激发与发射光谱、发光衰减寿命、光产额和辐照损伤等方面的光谱性能测试,结果表明,Sb、Y双掺杂能显著改善PbWO4晶体的光谱性能,使晶体在短波330~420nm范围的透过率明显提高,光产额增加,抗辐照能力增强.但从籽晶端到顶端的性能存在一定的差异,说明大尺寸的PbWO4:(Sb,Y)晶体的均匀性还有待提高.

关键词: 改进的Bridgman法 , PbWO4:(Sb,Y) , 光谱性能

LuTaO4∶Ln3+(Ln=Eu,Tb)透明薄膜制备改进与其发光性能研究

吴霜 , 刘波 , 邱志澈 , 陈士伟 , 张娟楠 , 刘小林 , 顾牡 , 黄世明 , 倪晨

无机材料学报 doi:10.15541/jim20150503

LuTaO4是一种新型的辐射探测材料,但是制备高质量的透明薄膜面临着巨大挑战.为了在保证薄膜不开裂与高透明度的前提下提高薄膜的厚度,通过大量摸索选用聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为胶黏剂并优化溶胶中固含量及PVP含量成功制备出单层厚度达到l00 nm的LuTaO4∶Ln3+(Ln=Eu,Tb)薄膜,保证了薄膜的透明度同时大大提高了发光性能.该方法为高质量LuTaO4∶Ln3+(Ln=Eu,Tb)厚膜的制备和应用奠定了基础.

关键词: LuTaO4∶Ln3+(Ln=Eu,Tb)薄膜 , 溶胶-凝胶法 , 固含量 , PVP , 发光性能

Lu2SiO5∶Ce3+透明薄膜制备及其发光性能研究

吴霜 , 刘波 , 陈士伟 , 张娟楠 , 刘小林 , 顾牡 , 黄世明 , 倪晨 , 薛超凡

无机材料学报 doi:10.15541/jim20160034

Lu2SiO5∶ Ce3+薄膜具有高光产额、快衰减时间、高密度、高空间分辨率等优点,有望成为X射线探测中的闪烁材料,但制备高质量的薄膜面临挑战.本工作采用溶胶凝-胶法,通过对制备过程中水硅比、烧结程序、胶黏剂和固含量等四个因素的系统研究与分析,结果表明:在空气湿度为85%,溶胶水硅比为6.6条件下,适量添加PEG400,采用优化后最佳固含量,从450℃开始进行烧结程序后退火,可制备出具有透明、平整、无裂痕的高质量Lu2SiO5∶ Ce3+闪烁薄膜,单次旋涂获得的膜厚达到167 nm.实验表明水含量是引起薄膜发白的主要因素;烧结程序决定了薄膜的有机物分解程度及结晶状况;溶胶固含量及胶黏剂含量是调控薄膜厚度的重要方法.本工作为Lu2SiO5∶ Ce3+闪烁薄膜的实际应用奠定了基础.

关键词: Lu2SiO5∶ Ce3+薄膜 , 水硅比 , 烧结程序 , 胶黏剂 , 固含量 , 发光性能

PbWO4:(Sb,Y)晶体的发光和闪烁性能研究

谢建军 , 杨培志 , 袁晖 , 廖晶莹 , 殷之文 , 曹顿华 , 顾牡

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.01.003

本文报道了用多坩埚下降法生长的大尺寸PbWO4:(Sb,Y)晶体的光谱和闪烁性能.基于透射光谱、X射线激发的发射谱、紫外激发及其发射谱、光产额和超短脉冲X射线激发荧光寿命等方面的测试,讨论了Sb,Y双掺杂对PbWO4晶体的光谱和闪烁性能的作用.结果表明:Sb,Y双掺杂能显著改善PbWO4晶体的光谱性能和闪烁性能,使PbWO4晶体在短波方向的透过率明显提高;对于尺寸为23×23×20mm3的掺杂晶体样品,光产额最大值大约为50 p.e./MeV,约为BGO光产额的6.0%;发光成份中有1.9ns和15.8ns两个衰减时间常数的快成份.

关键词: PbWO4:(Sb,Y) , 光产额 , 光谱性能 , 闪烁性能

透明SiO2-Al2O3-CaO-CaF2 微晶玻璃中Tb3+的发光性能研究

顾牡 , 孙心瑗 , 黄世明 , 金鑫杰 , 刘波 , 刘小林 , 倪晨

人工晶体学报

通过对1.0 mol%Tb2O3掺杂45SiO2-20Al2O3-10CaO-25CaF2玻璃进行热处理制备出透明微晶玻璃,经XRD分析微晶玻璃内析出了大小约为27 nm 的CaF2颗粒.并分别在紫外和X射线激发下研究了Tb3+在基质玻璃和透明微晶玻璃中的发光行为.结果表明:微晶玻璃中CaF2纳米晶颗粒的析出有利于提高Tb3+的发光性能,紫外激发时,Tb3+的545 nm特征发光强度增强了4倍;而X射线激发时,Tb3+的545 nm特征发光强度增加了3.5倍.

关键词: CaF2纳米晶 , 透明微晶玻璃 , 光致发光 , X射线激发发射

Lu2O3纳米线阵列的超声辅助溶胶-凝胶模板法制备与表征

胡亚华 , 顾牡 , 张致远 , 刘小林 , 黄世明 , 刘波 , 张娟楠

无机材料学报 doi:10.15541/jim20160014

采用超声辅助的溶胶-凝胶阳极氧化铝(AAO)模板法制备Lu2O3纳米线阵列.通过X射线衍射谱(XRD)、能量色散X射线谱(EDX)、扫描以及透射电镜(SEM及TEM)对纳米线阵列的晶体结构和形貌进行表征.结果显示:Lu2O3纳米线阵列的晶相呈纯立方相Lu2O3多晶结构;纳米线形貌完整、取向一致、粗细均匀,直径约200 nm.与简单浸泡法相比,采用的超声辅助技术可有效提高Lu2O3在AAO孔道内的填充度,填充度接近100%.该方法具有工艺简单、成本低廉、填充度高、重复性好等特点,不仅可实现大面积Lu2O3纳米线阵列的制备,而且还可推广到其他材料的纳米线阵列制备.

关键词: 超声辅助 , 溶胶-凝胶法 , AAO模板 , Lu2O3纳米线阵列

高精度温控退火炉的研制与控温程序的调试

梁玲 , 顾牡 , 许伟群 , 陈玲燕

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.04.021

晶体退火是一个重要的工艺过程,不同温度、不同气氛下的退火处理是晶体缺陷研究的重要手段.本文从退火炉的整体构造、管端配件的设计、控温电路和温度程序控制调节器的使用三个方面介绍了由同济大学玻耳固体物理研究所自行研制的小型高精度温控退火炉装置,并针对典型的晶体退火过程详细分析了温控系统中PID参数的选取和控温程序的调试工作.

关键词: 退火 , 可编程温度控制器 , PID调节

掺铌钨酸铅晶体缺陷的理论研究

刘峰松 , 顾牡 , 姚明珍 , 梁玲

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.03.008

采用基于相对论性密度泛函理论的离散变分和嵌入团簇方法计算了PbWO4∶Nb晶体中Nb缺陷态的态密度分布和能量,并运用过渡态方法计算了其激发能.通过计算掺Nb缺陷态电子态密度分布,发现与VO相关的F+心是晶体掺Nb的主要补偿机制.(NbO3+F+)2-缺陷在掺铌钨酸铅晶体各相关缺陷形式中存在所需能量最低.计算结果表明VO有关的F+的存在是有效消除晶体中350nm吸收的主要原因.而F+→W5d轨道的跃迁能量为2.8eV,对应晶体中420nm吸收.

关键词: PbWO4晶体 , 密度泛函 , 掺铌晶体 , 态密度

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