门保全
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郑海务
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张大蔚
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马兴平
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顾玉宗
硅酸盐通报
ZnO是一种纤锌矿结构的第三代宽带隙半导体材料,在光电和铁电器件领域具有优良的应用前景.本文综述了近年来ZnO材料在制备与诸如压电、铁电、介电与多铁等物理性质方面的研究进展,指出了ZnO在铁电、介电与多铁性质研究方面中存在的问题,并提出解决的思路.
关键词:
ZnO
,
铁电
,
压电
,
介电
,
多铁
郑海务
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苏剑峰
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王科范
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李银丽
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顾玉宗
,
傅竹西
功能材料
在Si(111)衬底上,采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过低压化学气相沉积(LPCVD)工艺外延出结晶质量良好的SiC薄膜.低温光致发光谱表明该薄膜属于6H-SiC多型体.X射线衍射图表明该薄膜具有高度的择优取向性.扫描电子显微镜图表明该薄膜由片状SiC晶粒组成.拉曼光谱和透射电子衍射谱...
关键词:
Si
,
6H-SiC
,
化学气相沉积
,
微结构
刘越峰
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郑海务
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张伟风
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顾玉宗
,
李银丽
,
张华荣
功能材料
采用水热法成功合成了YMnO3纳米棒,利用XRD、SEM、EDS、HRTEM和SAED对产物进行了表征.实验结果表明,产物为六方纯相YMnO3纳米棒,高分辨电镜图片显示晶面间距为0.298nm,对应(004)面间距,结合XRD及选区电子衍射结果,可以得出纳米棒沿[001]方向生长,并初步分析了纳米棒...
关键词:
YMnO3
,
纳米棒
,
水热法
,
微结构
,
磁性
刘越峰
,
郑海务
,
马兴平
,
王超
,
张华荣
,
顾玉宗
材料导报
采用化学溶液法在Si(111)衬底上制备了YMnO3薄膜.XRD结果表明,所制备的薄膜为六方纯相YMnO3,且具有部分择优取向生长.以Pt为顶电极,测试了YMnO3薄膜的电滞回线,结果表明,所制备的YMnO3薄膜具有良好的铁电性质.
关键词:
六方YMnO3
,
薄膜
,
Si(111)
,
择优生长
,
电滞回线
赵希磊
,
王科范
,
张伟风
,
顾玉宗
材料导报
Sn量子点可用于制作单电子器件、高密度存储单元、红外探测器以及发射器等,具有重要的研究意义.介绍了离子注入、分子束外延、磁控溅射和固相外延等各种制备Sn量子点的生长技术,综述了Sn量子点的光学性质、电学性质以及理论计算研究结果,指出了Sn量子点研究面临的关键问题以及研究方向.
关键词:
Sn量子点
,
生长技术
,
光学性质
,
电学性质
,
理论计算
刘越峰
,
郑海务
,
张华荣
,
王超
,
马兴平
,
顾玉宗
硅酸盐通报
采用化学溶液法在 SiC/Si 上制备了YMnO3 薄膜.XRD 结果显示所制备的薄膜为六方YMnO3,且具有部分择优取向生长.拉曼光谱和XPS的结果验证了样品为六方纯相YMnO3.以 Pt 为顶电极,测试了 YMnO3 薄膜的电滞回线,结果显示YMnO3 薄膜具有良好的铁电性质.
关键词:
六方YMnO3
,
薄膜
,
SiC/Si
,
电滞回线
郑海务
,
苏剑峰
,
顾玉宗
,
张杨
,
傅竹西
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2008.01.006
采用低压化学气相沉积方法在C面蓝宝石衬底上异质外延生长出高结晶质量和良好表面形貌的6H-SiC薄膜,研究了CsHs气体流速对薄膜结晶质量的影响.随着C3Hs气体流速的降低,薄膜的结晶质量先增加后降低,表明薄膜的生长在开始阶段受表面反应控制,而后受质量输运控制.所得到的结晶质量最好的6H-SiC薄膜,...
关键词:
无机非金属材料
,
6H-SiC薄膜
,
低压CVD
,
蓝宝石
,
微结构
