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Si(111)衬底上HVPE GaN厚膜生长

颜怀跃 , 修向前 , 华雪梅 , 刘战辉 , 周安 , 张荣 , 谢自力 , 韩平 , 施毅 , 郑有炓

功能材料

在Si(111)衬底上,以MOCVD方法高温外延生长的AIN为缓冲层,使用氮化物气相外延(HVPE)方法外延生长了15Km的c面GaN厚膜.并利用X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)、拉曼光谱(Raman)等技术研究了GaN厚膜的结构和光学性质.分析结果表明,GaN厚膜具有六方纤锌矿结构,外延层...

关键词: 氢化物气相外延 , HVPE , Si , GaN