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刘晴 , 颜晓红 , 陈远 , 王祥夫
稀土学报(英文版) doi:10.1016/S1002-0721(12)60402-5
关键词:
丁书龙 , 郭建 , 颜晓红 , 宣凯 , 林铁军
材料导报
用化学气相沉积方法(CVD),以纯锌粉为原料,在镀金的硅片上制备出高密度的定向氧化锌(ZnO)纳米线,并用扫描电子显微镜和X射线衍射仪对其形貌、结构及成分进行了表征;对镀金和不镀金的硅片上生长的ZnO纳米结构成分进行比较,证实其生长过程遵循气固生长机理.
关键词: 半导体材料 , 气相生长 , 化学气相沉积