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定向氧化锌纳米线的制备和生长机理的研究

丁书龙 , 郭建 , 颜晓红 , 宣凯 , 林铁军

材料导报

用化学气相沉积方法(CVD),以纯锌粉为原料,在镀金的硅片上制备出高密度的定向氧化锌(ZnO)纳米线,并用扫描电子显微镜和X射线衍射仪对其形貌、结构及成分进行了表征;对镀金和不镀金的硅片上生长的ZnO纳米结构成分进行比较,证实其生长过程遵循气固生长机理.

关键词: 半导体材料 , 气相生长 , 化学气相沉积

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