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检索条件:作者=颜艳明  

  • 论文(6)

不同Zn含量的GaSb热电半导体及其性能

张晓军 , 应鹏展 , 崔教林 , 付红 , 颜艳明

材料科学与工程学报

采用放电等离子烧结法(SPS)制备了四种不同Zn含量的GaSb热电半导体(分别是GaSb,Zn0.9 Ga 2.1Sb2,ZnGa2Sb2和Zn1.1Ga1.9 Sb2),并分析研究其热电性能.结果表明:加Zn后虽然GaSb的Seebeck系数大幅度降低,但电导率提高了约两个数量级,热导率也得以降低...

关键词: GaSb基半导体 , 放电等离子烧结 , 热电性能

P型Ga2Te5基化合物的热电性能

付红 , 应鹏展 , 崔教林 , 张晓军 , 颜艳明

稀有金属材料与工程

采用放电等离子烧结技术(SPS)制备P型复相Ga2Te5基化合物,对其进行微观分析和热电性能测试.通过XRD分析观察到主相Ga2Te5和少量的SnTe、单质Te.在整个测试温度(319~549 K)范围内,Ga2Te5基化合物的Seebeck系数、电导率和热导率都随温度的升高而降低.由于具有相对较低...

关键词: 热电性能 , Ga2Te5基化合物 , 放电等离子烧结

添加Sb的Ga2Te3合金热电性能

付红 , 应鹏展 , 崔教林 , 颜艳明 , 张晓军

稀有金属材料与工程

本研究采用等摩尔分数的Sb元素替换Ga2Te3中的Ga元素,并利用放电等离子烧结技术制备Ga1.9Sb0.1Te3合金,研究其微观结构和热电性能.结果表明,添加Sb元素后,材料的Seebeck系数为130~240μV/K,明显低于单晶Ga2Te3,电导率为3600~1740Ω-1·m-1,至少是单晶...

关键词: Ga1.9Sb0.1Te3 , 微结构 , 热电性能

掺杂Cu的AgSbTe四元合金电学性能

付红 , 应鹏展 , 颜艳明 , 张晓军 , 高榆岚

兵器材料科学与工程 doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2011.02.002

AgSbTe基合金具有良好的热学和电学性能,在发电和制冷领域获得广泛应用.通过放电等离子烧结技术制备(AgSbTe2)0.405(Sb2-xCuxTe3)0.064(x=0,0.025,0.05,0.1,0.2)5种合金,观察其微观结构,并研究316-548 K温度区间内电学性能的变化.结果表明,x...

关键词: AgSbTe合金 , 掺杂Cu , 微观结构 , 电学性能

添加Ge的In_(10)Sb_(10)Ge三元合金热电性能

颜艳明 , 应鹏展 , 崔教林 , 付红 , 张晓军

材料科学与工程学报

InSb单晶材料具有相当高的载流子迁移率,因而有良好的电学性能.本文采用缓慢凝固技术制备出In-Sb-Ge三元合金,并在320 K到706 K的温度范围内测量其热电性能.显微结构观察表明,In-Sb-Ge三元合金的微观组织由嵌入含锗相的锑化铟相组成,这一结果与X射线衍射分析的结果相符.性能测试表明,...

关键词: 热电性能 , In_(10)Sb_(10)Ge三元合金 , 放电等离子烧结

含铅GaSb基半导体的热电输运特性

王鸿翔 , 应鹏展 , 张钦祥 , 颜艳明 , 崔教林

人工晶体学报

GaSb是Ⅲ-Ⅴ族系列直接带隙半导体材料,其内部的缺陷性质对调控材料的热电性能具有重要作用.研究发现,在GaSb中掺杂Pb后材料内部产生了大量的反结构受主缺陷Pbsb-及施主缺陷PbCa+,但本征缺陷VGa3-和SbGa2+浓度减少.这些缺陷浓度的变化直接调控了材料的热电输运性能.例如,掺杂0.25...

关键词: 热电材料 , GaSb基半导体 , 结构缺陷 , 声电输运特性