赵志明
,
马二云
,
张晓静
,
田亚萍
,
屈直
,
百穹
,
曹智睿
,
白力静
,
张国君
,
蒋百灵
功能材料
摘要：在室温下，分别利用常规磁控溅射和反应磁控溅射技术交替沉积Si薄膜和Si1-xNx薄膜在单晶硅基体上制备了Si／Si1-xNx纳米多层膜。接下来，在高温下对Si／Si1-xNx多层膜进行退火诱发各层中形成硅纳米晶。研究了Si1-xNx层厚度和N2流量沉积对si／Si1-xNx多层膜中Si量子点形成的影响。TEM检测结果表明，N2流量为2．5mL／min时沉积的多层膜退火后形成了尺寸为20-30nm的等轴Si3N4纳米晶；N2流量为5．0mL／min时沉积的多层膜退火后在Si层和Si1-xNx层中均形成了硅纳米晶，而在7．5mL／min N2流量下沉积的Si／Si1-xNx多层膜退火后仅在Si层中形成了硅纳米晶。
关键词:
磁控溅射技术
,
Si/Si1-xNx多层膜
,
Si纳米晶
,
Si3N4纳米晶
,
TEM
赵志明
,
丁宇
,
田亚萍
,
张晓静
,
马二云
,
白力静
,
蒋百灵
人工晶体学报
在室温下,利用直流反应磁控溅射技术在不同的氧气流量下沉积ZnO∶ Al (AZO)薄膜.采用XRD、SEM和TEM技术分析薄膜相成分、表面截面形貌及微观结构.结果表明:氧气流量为2.5 sccm时,沉积形成的薄膜为不透明具有金属导电性能的AZO/Zn( AZO)双层复合膜结构；氧气流量为3.5 sccm时,沉积形成了透明导电的AZO薄膜；氧气流量为5.0 sccm时,形成了透明不导电且含有纳米Al2O3颗粒的AZO薄膜；此外,AZO薄膜在400℃退火后,薄膜晶粒长大和(002)晶面方向择优生长更加明显以及高氧气流量沉积的AZO薄膜中的纳米Al2O3颗粒消失.
关键词:
直流反应磁控溅射
,
AZO薄膜
,
Al2 O3纳米颗粒
赵志明
,
张晓静
,
马二云
,
白力静
,
张国君
,
游才印
,
蒋百灵
稀有金属材料与工程
利用对靶磁控溅射交替沉积技术在不同Co靶电流下沉积Co/AZO纳米复合薄膜,并对其进行真空退火.研究了Co靶电流对薄膜的结构及光学性能的影响.结果表明,沉积态薄膜晶化程度随Co靶电流增加而降低,未发现Co的相关衍射峰;真空退火后,薄膜结晶性明显改善,0.3 A薄膜中出现了Co纳米颗粒,当Co靶电流增大到0.5A时还发现了CoO纳米颗粒.UV-Vis光谱显示薄膜透过率随Co靶电流增加而降低,退火后透过率明显提高;光谱中还出现了高自旋态Co2+(d7)电子跃迁的3个特征吸收峰,0.2A薄膜中尤其显著.
关键词:
Co/AZO纳米复合薄膜
,
微观结构
,
光学性能
,
交替沉积
,
磁控溅射
赵志明
,
马二云
,
张晓静
,
张国君
,
游才印
,
白力静
,
蒋百灵
稀有金属材料与工程
利用反应磁控溅射和常规磁控溅射方法交替沉积了NiO/Ni纳米多层膜,研究了不同退火环境下多层膜的相结构、微观结构演化及光电性能.XRD和TEM结果表明,沉积态薄膜呈现明显的NiO和Ni交替多层结构;大气退火的NiO/Ni多层膜被氧化成沿(ll1)晶面择优生长的NiO薄膜;而真空退火的NiO/Ni薄膜仍然保持着明显的多层结构,各层膜的结晶程度提高.沉积态和真空退火态的NiO/Ni多层膜呈现低可见光透过率和低电阻率的特点,电阻率达到10-5Q·cm数量级;大气退火的NiO/Ni多层膜呈现49.3％可见光平均透过率和高的电阻特性.
关键词:
NiO/Ni纳米多层膜
,
微观结构
,
光电性能
,
磁控溅射
赵志明
,
张晓静
,
马二云
,
曹智睿
,
白力静
,
蒋百灵
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2012.03.014
在室温下,利用不同磁感应强度相对分布因子S的磁控阴极溅射沉积了金属Mo薄膜.实验研究了磁控阴极S值对放电参数、Mo薄膜的结构、形貌及性能的影响.分别利用XRD,SEM和四探针技术对Mo薄膜的相结构、表面和截面形貌及电阻率进行表征分析.结果表明,随着磁控阴极S值的增加,Mo靶放电电压降低,而放电电流增加；不同S值的磁控阴极沉积的Mo薄膜均呈现多晶结构,且具有柱状生长特征；随着磁控阴极S因子的增加Mo膜的厚度和电导率呈现先增加而后减小的变化规律,电阻率最小可达4.9×10-6Ω·cm.
关键词:
磁感应强度分布因子
,
Mo薄膜
,
磁控溅射
,
电阻率
