刘磁辉
,
刘秉策
,
马泽宇
,
段理
,
付竹西
功能材料
用射频磁控溅射在硅衬底上淀积ZnO薄膜,随后进行I-V-T测量.实验结果显示硅基氧化锌接触具有异质结特性,异质结的电流输运机制为热发射和电流隧穿.用I-V-T测量的结果拟合计算了势垒高度和理想因子,结果发现ZnO/P-Si势垒高度随温度降低而减小理想因子则升高.异质结的这种反常的随温度变化的关系可以用肖特基势垒不均匀性理论解释.样品经Air～800℃热退火后势垒高度与未退火相比上升,说明热退火改善了氧化锌薄膜的结晶质量,减少了界面态影响.
关键词:
氧化锌
,
异质结
,
势垒
,
温度特性
马泽宇
,
王晓亮
,
王翠梅
,
肖红领
,
杨翠柏
材料导报
从T-ZnOw独特的空间结构出发,建立了T-ZnOw高分子复合材料的新型三维点阵模型,利用Monte Carlo方法对该系统的逾渗导通行为进行了模拟,得到点阵逾渗阈值为23.2%.结合实际计算获得了T-ZnOw的临界掺入比例,与文献报道的结果基本吻合.计算表明临界掺入比例主要取决于T-ZnOw的长径比,并与晶须尺寸以及复合材料制备工艺有关
关键词:
T-ZnOw
,
逾渗
,
复合材料
