赵君芙
,
赵丹
,
梁建
,
马淑芳
,
许并社
材料导报
采用CVD法以金属镓(Ga)和氨气(NH3)为原料,在镀有Al膜的蓝宝石衬底上成功地制备了GaN多晶薄膜.采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、场发射电子扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)和光致发光能谱(PL)对样品进行了成分、形貌、表面粗糙度和发光性能分析.结果表明,制备的GaN薄膜为结晶性较好的六方纤锌矿GaN多晶薄膜,用266nm的激光作为激发光源时,光致发光谱中除出现354nm的近带边发射峰外,同时还观察到中心波长位于530nm附近的黄光发光峰及中心波长位于约637nm的红光发光峰.
关键词:
半导体
,
GaN多晶薄膜
,
Al缓冲层
,
CVD法
陈席斌
,
马淑芳
,
董海亮
,
梁建
,
许并社
中国材料进展
doi:10.7502/j.issn.1674-3962.2015.05.01
采用金属有机化学气相沉积方法在蓝宝石衬底上外延生长GaN基材料,设计并优化外延生长条件,探索单层N型GaN(N-GaN)、多量子阱(MQW)、电子阻挡层(P-AlGaN)、P型GaN(P-GaN)材料对发光二极管(LED)器件的光电性能的影响.通过X射线衍射仪(XRD)、电致发光谱(EL)、光致发光谱(PL)等测试设备对外延片进行表征.结果表明:经优化Si掺N-GaN和垒层(QB),获得较好的(102)、(002)半峰宽,正向电压从4.46 V分别降至3.85 V、3.47V,发光强度从4.86 mV提高到6.14 mV.然后对P型AlGaN层进行Mg掺杂优化,正向电压下降至3.35V,发光强度提高到6.14 mV.最后对P-GaN层进行了生长温度及退火温度的优化,结果发现正向电压从3.16V提高至3.32V,发光强度提高至6.70 mV左右.全自动探针台在测试电流20 mA的条件下,对芯片的电压和发光强度进行了测试,电压大致从4.5V降到3.8V左右,下降了16％.发光强度大概从110 mcd提高到135 mcd,提高了 20％左右.结合实验结果与理论综合分析,解释了N-GaN层和QB层Si掺量,P-AlGaN层Mg掺量,P-GaN层生长温度及活化温度对正向电压和亮度的影响,从而为高质量GaN薄膜材料外延生长及高性能的LED提供了更好的实验指导与理论支持.
关键词:
发光二极管
,
GaN
,
正向电压
,
发光强度
郝玉凤
,
付庆
,
孔祥海
,
马淑芳
腐蚀与防护
开发了一种JA-450A/B复合药剂,主要由A组分(FeSO4,K2FeO4,6%～8%高分子絮凝剂,不低于3%的FeCl3)和B组分(H2O2,CaCl2,7%～8%AlCl3)组成.其对经过生化处理的焦化废水中污染因子的去除非常有效.对废水中的CODcr、总氰、氟离子、色度的去除效率稳定,尤其在原水中污染因子含量较高时的去除率更为突出.
关键词:
CODcr
,
氟离子
,
总氰
,
Fenton试剂
,
氧化
,
混凝
黄平
,
李婧
,
梁建
,
赵君芙
,
马淑芳
,
许并社
人工晶体学报
室温下,以CdSO4H1SeO3和Na2SO4为原料,采用二电极体系,利用电化学法在ITO玻璃基底上沉积了CdSe薄膜.采用高分辨x射线衍射仪(HRXRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)、紫外.可见.近红外(UV-VIS-NIR)分光光度计、荧光分光光度计(PL)对不同沉积电压下所制备的薄膜的晶体结构、形貌及光学性能进行分析表征.结果表明:所制备的薄膜为立方相CdSe,呈纳米颗粒状,部分粒子表现出不均匀团聚.紫外吸收光谱的吸收峰较体相CdSe有较大的蓝移,且导致禁带宽度发生改变,表现出量子尺寸效应.样品发射光谱表现出荧光现象,且单色性好.适当的沉积电压对CdSe薄膜的形貌和质量起关键作用,同时讨论了其反应机理.
关键词:
电化学沉积
,
CdSe薄膜
,
禁带宽度
,
沉积电压
梁建
,
马淑芳
,
韩培德
,
孙彩云
,
许并社
稀有金属材料与工程
采用水热合成法,以TiO2粉体和NaOH为原料,成功地制备出了TiO2纳米管.用XRD,SEM,HRTEM,紫外吸收光谱分析仪和光谱辐射分析仪等手段对纳米管进行微观形貌、光学性能的表征,并探讨了其生长机理.结果表明,所得产物为锐钛矿和金红石混晶型TiO2纳米管,管壁为多层,管的外径分布在10 nm～50 nm,长度可达几微米甚至十几微米,呈开口状;TiO2纳米管的生长机理符合3-2-1D的生长模型,其紫外吸收光谱和光致发光光谱相对于原料粉均呈现出蓝移现象,光致发光光谱显示TiO2纳米管在可见光区的发光强度明显增强.
关键词:
水热合成法
,
纳米管
,
多层管壁
,
蓝移
马淑芳
,
梁建
,
赵君芙
,
孙晓霞
,
许并社
人工晶体学报
采用热蒸发沉积法,以砷化镓和氧化镓粉末为原料,以氧化铟为催化剂,在800 ℃的氩气气氛中,在(100)砷化镓基片表面上沉积生成GaAs/Ga2O3薄膜.以配有成分分析的场发射扫描电镜(FESEM)、X-射线衍射仪(XRD)、光致发光仪(PL)等测试方法对所得薄膜的成分、形貌、晶体结构和光学性能进行了表征.研究结果表明:薄膜以规整的波浪形均匀地覆盖在砷化镓基片表面上,所得薄膜为GaAs/Ga2O3复合多晶薄膜,光致发光峰为强的红光发射;薄膜的生长机理为固-气-固过程,薄膜中砷元素含量的增加与氧化铟的作用有关.
关键词:
砷化镓
,
薄膜
,
光致发光
,
生长机理
翟雷应
,
梁建
,
马淑芳
,
贾虎生
,
许并社
材料导报
以ZnO粉和石墨粉为原料,用碳热还原法获得了分区生长的多种形貌ZnO晶体.采用XRD、FESEM、HRTEM、EDS和PL谱等测试手段分别对产物进行了分析表征.结果表明:所得产物均为六方纤锌矿ZnO晶体,但具有不同的晶体形态特征.浅黄色产物主要为四足和两足状ZnO晶须,白色产物为单一片状ZnO晶体.同时初步分析和讨论了产物分区生长的原因和生长机理.
关键词:
ZnO
,
碳热还原
,
四足晶须
,
纳米片
,
分区生长
李龙
,
章海霞
,
刘晶
,
马淑芳
,
梁建
,
许并社
人工晶体学报
采用分步电化学沉积法,在FTO玻璃基底上成功制备出GaAs薄膜.采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、紫外可见光光度计(UV-Vis)、荧光光度计(PL)对不同退火工艺下所制备的薄膜的晶体结构、形貌及光学性能进行表征.结果表明:GaAs薄膜为面心立方晶系,沿(111)方向择优生长.随着退火温度的升高,薄膜内颗粒逐渐增大,Ga与As原子量比发生变化,Eg值减小,光致发光峰为红外发射峰.同时对其形成机理进行了探讨.
关键词:
GaAs薄膜
,
电沉积
,
退火
梁建
,
董海亮
,
赵君芙
,
黄平
,
马淑芳
功能材料
以乙酸铜、三乙醇胺和醇为原料,采用溶剂热法制备出了不同形貌的微米氧化亚铜颗粒.通过SEM和XRD对所制备产物的形貌和物相进行分析表征,结果表明,在适当的反应温度下,不同醇类作还原剂均可生成球形氧化亚铜微晶,但随着醇羟基数量的增加,球形氧化亚铜微晶的反应生成温度逐渐降低.同时,对醇在形成氧化亚铜微晶的反应过程中所起的作用进行了初步探讨.
关键词:
氧化亚铜
,
溶剂热法
,
醇
,
自由基
