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低压环境中外加氩气流对激光沉积纳米硅晶粒尺寸及分布的影响

王英龙 , 高建聪 , 褚立志 , 邓泽超 , 丁学成 , 傅广生

人工晶体学报

采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在烧蚀点正上方0.35 cm、距靶0.7 cm处引入Ar气流,保持环境气压0.3 Pa,烧蚀高阻抗单晶硅(Si)靶.在烧蚀点正下方0.35 cm,距靶0.5 cm、0.7 cm、1.4 cm、2.1 cm、2.8 cm、3.0 cm和3.5cm处水平放置衬底来收集纳米...

关键词: 脉冲激光烧蚀 , 纳米Si晶粒 , 尺寸