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检索条件:作者=高建鲁  

  • 论文(3)

Ag掺杂对新型SnO2压敏材料的电学性质的影响

王矜奉 , 陈洪存 , 王文新 , 苏文斌 , 臧国忠 , 亓鹏 , 王春明 , 赵春华 , 高建鲁

功能材料

烧渗银电极对压敏电阻的性能是有很大影响的.为了弄清Ag对(Co、Nb)掺杂的新型SnO2压敏材料电学性质的影响,做了组分为SnO2+1.50%CoCl2*6H2O+0.10%Nb2O5+x%Ag2O(x=0.00、0.02、0.50和1.00)的系统实验.当AgO的含量从0.00增加到1mol%时,...

关键词: 氧化银 , 二氧化锡 , 势垒 , 电学非线性

CuO掺杂对 SnO2压敏材料性能的影响

明保全 , 王矜奉 , 陈洪存 , 苏文斌 , 臧国忠 , 高建鲁

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.01.008

研究了掺杂 CuO对 SnO2· Ni2O3· Ta2O5压敏材料电学性能的影响.实验发现,随着 CuO的 掺杂量从 0.50mol%增加到 1.50mol%,材料的压敏电场强度从 132V/mm升高到 234V/mm,相对 介电常数从 4663减小到 2701.电场强度变化的原因是 CuO掺杂引起...

关键词: 压敏材料 , SnO2 , 电学性能 , 晶粒尺寸 , 缺陷势垒模型

Pb掺杂SnO2压敏电阻的晶粒尺寸效应

王矜奉 , 陈洪存 , 赵春华 , 高建鲁

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2003.06.010

研究了Pb3O4对(Co,Nb)掺杂SnO2压敏材料电学性质的影响.当Pb3O4的含量从0.00增加到0.75%(摩尔分数,下同)时,(Co,Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从426 V/mm迅速减小到160 V/mm,40 Hz时的相对介电常数从1240迅速增加到2760.这说明Pb3O4是调...

关键词: 无机非金属材料 , 压敏电阻器 , 铅掺杂 , 二氧化锡 , 肖特基势垒