孙丽媛
,
高志远
,
张露
,
马莉
,
吴文蓉
,
邹德恕
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2012.04.004
使用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术刻蚀GaAs材料,在光刻过程中采用不同厚度的光刻胶,研究在同一刻蚀条件下不同光刻胶厚度对刻蚀图形侧壁倾斜度的影响,并研究了光刻胶厚度对侧壁倾角影响在不同大小图形刻蚀中的尺寸效应,提出了关于刻蚀机理的尺寸增益现象及可能发生的刻蚀离子的散射模型,解释了光刻胶厚度较大...
关键词:
ICP刻蚀
,
光刻胶
,
侧壁倾角
,
刻蚀选择比
高志远
,
郝跃
,
张进城
,
张金凤
,
倪金玉
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.003
实验目的在于解决GaN外延层中六方形腐蚀坑起源问题存在的分歧,并利用腐蚀法准确地估计GaN的位错密度.大量对熔融KOH腐蚀GaN过程中表面形貌的演化以及温度和时间对腐蚀结果影响的实验结果表明,位错类型与腐蚀坑三维形状相对应,而与腐蚀坑大小无关,极性是GaN不同种类位错的腐蚀坑具有不同形状的决定性因素...
关键词:
位错密度
,
GaN
,
腐蚀坑密度
,
腐蚀机制
高志远
,
段焕涛
,
郝跃
,
李培成
,
张金凤
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2008.06.019
研究了用MOCVD设备在高温和低V/Ⅲ条件下生长的GaN薄膜表面存在的与位错相连的大型V形表面坑,并提出了一个有关质量疏运机制的模型以解释其形成机理.由衬底扩散上出来的Al原子对大型坑的形成具有辅助作用,并阻止了深能级杂质或空位缀饰与坑相连的位错.GaN内的位错是非辐射复合中心,但对深能级发光不起作...
关键词:
无机非金属材料
,
半导体材料
,
缺陷
,
材料表征
,
表面坑
高志远
,
郝跃
,
张金凤
材料导报
通过对异质外延GaN薄膜中各类结构缺陷进行系统的研究,发现材料内部的各种体、面和线缺陷,包括沉淀物、裂纹、反向边界、局部立方相、小角晶界和位错,都会对表面形貌产生影响,并具有对应的特征形貌.GaN薄膜中缺陷与表面形貌的这种对应关系,可以通过MOCVD生长机理和缺陷间相互作用机制加以解释,同时也提供了...
关键词:
GaN
,
缺陷结构
,
表面形貌
,
生长机理
