栗鹏
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朴正淏
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金熙哲
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金在光
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尚飞
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邱海军
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高文宝
,
韩乾浩
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20173201.0019
高级超维场转换技术(Advanced Super Dimension Switch,简称 ADS)是以宽视角技术为代表的核心技术统称,其显示模式过大的存储电容(C st )成为限制 Dual Gate GOA 4K TV 应用的主要因素.在较短的充电时间内,像素为了维持相同的充电率,需要降低 C st .本文采用一种双条形电极 ADS 结构(Dual Slit ADS),其中像素电极与公共电极交叠区域形成 ADS 结构,像素电极与公共电极间隔区域形成共面转换(IPS)结构,通过减少像素电极与公共电极的交叠面积,起到降低 ADS 模式 C st 的目的.模拟结果表明：当 ADS 显示模式采用 Dual Slit ADS 设计时,像素的 C st 可以下降30％~40％.实验结果表明：采用 Low Cst Pixel ADS 设计时,VGH Margin 可以增大2．5 V,但受到像素电极和公共电极的对位影响,透过率下降5％.
关键词:
高级超维场转换技术
,
Dual Gate GOA
,
4K TV
,
存储电容
,
双条形电极
高文宝
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.05.022
为了防止静电放电(ESD)引起静电击穿造成TFT-LCD不良,通过实际测试和PSpice模拟讨论了TFT-LCD在设计过程中,ESD回路设计的规则和容限,通过放电模型的建立,得出显示器分辨率的变化与ESD回路中TFT 宽长比(W/L)的关系,确立了静电防止回路的设计方向、规则.模拟分析结果表明:扫描门电极(Horizontal)在分辨率为H1080时ESD W/L设计为38.9/7.4 μm ,在分辨率为H1200时ESD W/L设计为35.0/7.4 μm,满足模拟条件;数据线电极(Vertical)在分辨率为V1600时ESD W/L设计为14.7/7.4 μm,在分辨率为V1920时ESD W/L设计为12.2/7.4 μm,满足模拟条件.同时,按照此结果,可以得出ESD TFT器件在信号电压±25 V变动时,电流值大于±9.5 μA;而TFT LCD实际工作电压(＜±10 V)远小于模拟工作电压(＜±25 V),实际工作电流值为3～5 μA,也小于此电流值,因此验证此模拟结论可行.
关键词:
薄膜晶体管液晶显示器
,
静电放电
,
模拟
,
分辨率
