李兴鳌
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杨建平
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左安友
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高雁军
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袁作彬
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任山令
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李永涛
材料导报
采用反应直流磁控溅射镀膜法,在氮气分压为0.9Pa、不同基底温度下、玻璃基底上制备了纳米多晶Cu_3N薄膜,并研究了基底温度对薄膜结构和性能的影响.结果表明,当基底温度为100℃及以下时,薄膜以[111]方向择优生长为主;在150℃及200℃时,薄膜以[100]方向择优生长为主;250℃时开始出现Cu的[111]方向生长,300℃时已完全不能形成Cu_3N晶体,只有明显的Cu晶体.随基底温度的升高,薄膜的沉积速率在13～28nm/min呈U型变化,低温和高温时较高,150℃时最低;薄膜的电阻率显著降低;薄膜的显微硬度先升后降,100℃时显微硬度最大.
关键词:
氮化铜薄膜
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直流磁控溅射
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基底温度
,
热稳定性
谭兴毅
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高雁军
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陈长乐
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金克新
稀有金属材料与工程
基于密度泛函理论,从头计算了La以及Nb掺杂BaSnO3的稳定性、电子结构和光学性质.结果表明La以及Nb掺杂BaSnO3体系结构稳定,均为n型导电材料,在可见光区透过率大于80％,且La以及Nb掺杂BaSnO3明显改善了体系的导电性.计算结果为实验制备n型BaSnO3基透明导电材料提供了理论指导.
关键词:
透明导电材料
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电子结构
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光学性质
