林永清
,
巩春志
,
魏永强
,
田修波
,
杨士勤
,
关秉羽
,
于传跃
材料研究学报
采用矩形平面大弧源离子镀技术在201奥氏体不锈钢基体表面制备TiN硬质薄膜,
研究了脉冲偏压对TiN膜层的表面形貌、相结构、硬度和耐磨性能的影响. 结果表明,
随着脉冲偏压的增大, 薄膜中大颗粒的数目先增加后减少,
这是大颗粒受到离子拖曳力和电场力双重作用的结果. 存在一个最佳的脉冲偏压,
使得制备出的TiN膜层具有较高的I(111)/I(200)比例和较高的耐磨性.
脉冲偏压为-300 V时制备的TiN膜层具有最好的综合性能.
关键词:
无机非金属材料
,
null
,
null
林永清
,
巩春志
,
魏永强
,
田修波
,
杨士勤
,
关秉羽
,
于传跃
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2008.04.012
采用矩形平面大弧源离子镀技术在201奥氏体不锈钢基体表面制备TiN硬质薄膜,研究了脉冲偏压对TiN膜层的表面形貌、相结构、硬度和耐磨性能的影响.结果表明,随着脉冲偏压的增大,薄膜中大颗粒的数目先增加后减少,这是大颗粒受到离子拖曳力和电场力双重作用的结果.存在一个最佳的脉冲偏压,使得制备出的TiN膜层具有较高的I(111)/I(200)比例和较高的耐磨性.脉冲偏压为-300 V时制备的TiN膜层具有最好的综合性能.
关键词:
无机非金属材料
,
离子镀
,
矩形靶
,
脉冲偏压
,
氮化钛
,
耐磨性
魏永强
,
巩春志
,
田修波
,
杨士勤
稀有金属材料与工程
利用阴极弧沉积的方法在201不锈钢基体上制备了TiN薄膜,研究了阴极弧径向不同位置大颗粒、膜厚以及膜层性能的分布规律.分别采用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析了膜层的相结构、膜层的表面形貌和截面形貌.研究了镀膜试样和基体在3.5%(质量分数)NaCl溶液中的腐蚀行为,并利用电化学方法分析其抗腐蚀性能,并采用球-盘式摩擦磨损、划痕测试以及微小压痕等方法测试了径向不同位置沉积的TiN薄膜摩擦磨损性能、膜基结合力以及硬度.结果表明,靠近靶材中心的位置,膜层的硬度、厚度最大,电化学腐蚀电位最高,在径向夹角20°处的膜层厚度、硬度最小.在靠近出气位置侧沉积的TiN薄膜大颗粒数目较多,造成表面缺陷增加,TiN薄膜的抗腐蚀性能下降.靠近弧源中心位置沉积的膜层摩擦磨损系数较大,两侧处的膜层摩擦系数较小,膜基结合力与表面形貌和膜层厚度有很大关系.
关键词:
多弧离子镀
,
硬度
,
TiN
,
摩擦磨损
,
电化学腐蚀
魏永强
,
魏永辉
,
蒋志强
,
田修波
表面技术
目的：研究基体表面和靶表面不同放置方向以及沉积时间对 Ti 大颗粒形貌和分布规律的影响。方法利用电弧离子镀方法在基体上制备 TiN 薄膜,采用扫描电子显微镜观察 TiN 薄膜的表面形貌,利用 ImageJ 图像软件对 TiN 薄膜表面中 Ti 大颗粒的数目和尺寸进行分析。结果靶基间距保持25 cm,当基体表面与靶表面垂直放置时,薄膜表面的大颗粒数目和所占面积比比平行放置时要少,同时出现了典型的长条状大颗粒；随着沉积时间从5 min 增加到50 min,大颗粒数目和所占面积比出现先减小后增加的趋势。结论选择基体表面与靶表面垂直放置,沉积时间为30~40 min 时,薄膜的沉积厚度和减少大颗粒缺陷可以兼顾。
关键词:
电弧离子镀
,
TiN
,
大颗粒
,
放置方向
,
沉积时间
魏永强
,
陈静波
,
何领好
,
申长雨
高分子材料科学与工程
介绍了Leonov粘弹本构模型以及它在简单剪切流中的应用,它对于不同的流动问题具有较好的描述能力,能用来描述剪切流动、振荡流动及瞬态剪切流动等.并且基于高聚物材料的动态实验,采用非线性回归方法拟合出了Leonov模型中的物性参数,并用拟合的数据与材料的简单剪切行为进行了比较.
关键词:
Leonov
,
粘弹性
,
本构模型
魏永强
,
张艳霞
,
文振华
,
蒋志强
,
冯宪章
表面技术
目的 研究脉冲偏压占空比对TiN/TiAlN多层薄膜微观结构和硬度的影响规律.方法 利用脉冲偏压电弧离子镀的方法,改变脉冲偏压占空比,在M2高速钢表面制备5种TiN/TiAlN多层薄膜,对比研究了薄膜的微观结构、元素成分、相结构和硬度的变化规律.结果 TiN/TiAlN多层薄膜表面出现了电弧离子镀制备薄膜的典型生长形貌,随着脉冲偏压占空比的增加,薄膜表面的大颗粒数目明显减少.此外,脉冲偏压占空比的增加还引起多层薄膜中Al/Ti原子比的降低.结论 TiN/TiAlN多层薄膜主要以(111)晶面择优取向生长,此外还含有(311),(222)和(200)晶相结构.5种多层薄膜的纳米硬度均在33GPa以上,当脉冲偏压占空比为20％时,可实现超硬薄膜的制备.
关键词:
TiN/TiAlN
,
电弧离子镀
,
纳米硬度
,
微观结构
,
脉冲偏压占空比
