郑洋
,
刘晰
,
曲炳郡
,
韦丹
,
魏福林
,
任天令
,
刘理天
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.03.016
磁控溅射是一种能够在低温条件下生长大面积优质薄膜的工艺,广泛用在磁传感器和存储等领域.本文研究了在巨磁电阻(Giant Magneto Resistance:GMR)多层膜周围溅射接触紧密的CoCrPt硬磁膜的工艺,使得硬磁膜能为GMR提供磁场偏置,以解决小尺度GMR的噪声问题.研究中采用了1:5的BHF溶液的湿法刻蚀工艺,刻蚀速率为25 A/s,实现了刻蚀深度的精确控制,解决了薄膜对准的问题.同时改进了CoCrPt薄膜溅射的种子层,使得CoCrPt能在常温下溅射得到很好的晶体结构.这种工艺为基于GMR的小尺寸器件设计提供了可能性.
关键词:
巨磁电阻
,
磁控溅射
,
湿法刻蚀
,
粗糙度
,
种子层
余晋岳
,
朱军
,
周狄
,
禹金强
,
俞爱斌
,
蔡炳初
,
魏福林
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2000.04.006
观察和分析了300 μm×40 μm×40 nm的NiFe磁性薄膜元件在难轴方向反磁化时磁畴结构转变,特别是Neel畴壁从正极性壁(N+)转变为负极性壁(N-)的全过程.磁畴结构的转变包含畴壁合并、封闭畴转变、钩形畴转变及Neel畴壁极性转变等不可逆因素.对畴壁极性转变的两种方式(即N+→N-直接转变及经由十字壁(Nct)的N+→Nct→N-间接转变)进行了分析讨论.N-往往在元件末端新生封闭畴和正极性主畴壁的连结点成核,然后向中间扩展.N+→Nct的转变是通过N+壁的数次分裂来实现的.
关键词:
磁性薄膜元件
,
反磁化
,
磁畴
,
Neel畴壁
张弘
,
刘曦
,
刘小晰
,
魏福林
,
贺德衍
人工晶体学报
以双靶射频溅射和交替沉积的方法制备了不同化学组成的BaM铁氧体薄膜.对所沉积的薄膜进行了两种不同方式的热处理.通过热处理后铁氧体薄膜的X射线衍射(XRD), 逆转换电子穆斯堡尔谱(CEMS)及原子力显微镜(AFM)等微观结构的分析和宏观磁性的测试,结果表明两步骤退火过程对于垂直取向结构的形成是有利的.
关键词:
钡铁氧体薄膜
,
垂直各向异性
,
穆斯堡尔谱
张弘
,
刘朝阳
,
王兰喜
,
贺德衍
,
魏福林
,
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.02.005
以交替真空溅射的方法使用成分分别为MnFe2O4与ZnFe2O4的双靶制备了成分变化的系列Mn1-xZnxFe2O4铁氧体薄膜,衬底为Si(100).薄膜的成分通过控制不同靶的溅射时间来进行调整.沉积态的薄膜呈非晶结构,在真空炉中以适当的温度对薄膜进行退火之后能够得到多晶MnZn铁氧体薄膜.组成成分为Mn0.5ZnO.5Fe2O4的薄膜呈现了相对最高的饱和磁化强度.同时还研究了制备条件对薄膜结构与磁性的影响,如溅射氧分压,退火真空度,退火温度及薄膜厚度等等.制备的薄膜相对于块状材料具有较高的矫顽力,进而讨论了应力对薄膜矫顽力的影响.
关键词:
薄膜
,
Mn-Zn铁氧体
,
矫顽力
余晋岳
,
魏福林
金属学报
观察和分析了３００μｍ×４０μｍ×４０ｎｍ的ＮｉＦｅ磁性薄膜元件在难轴方向反磁化时磁畴结构转变特别是Ｎｅｅｌ畴壁从正极性壁（Ｎ＋）转变为负极性壁（Ｎ－）的全过程. 磁畴结构的转变包含畴壁合并，封闭畴转变，钩形畴转变及Ｎｅｅｌ畴壁极性转变等变的可逆因素，对畴壁极性转变的身份种方式（即Ｎ＋→Ｎ－直接转变及经由十字壁（Ｎｅｔ）ｒ Ｎ＋－→Ｎ－间接转变）进行了分析讨论.
关键词:
磁性薄膜元件
,
null
