王显明
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孙振翠
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魏芹芹
,
王强
,
曹文田
,
薛成山
稀有金属材料与工程
利用热壁化学气相沉积在Si(111)衬底上获得GaN晶环,采用扫描电镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)、X射线衍射(XRD),光致发光(PL)谱和傅里叶红外吸收谱(FTIR)对晶环的组成、结构、形貌和光学特性进行分析.初步结果证明:在Si(111)衬底上获得择优生长的六方纤锌矿结构的GaN晶环...
关键词:
热壁化学气相沉积
,
氮化镓
,
晶环
魏芹芹
,
薛成山
,
孙振翠
,
曹文田
,
庄惠照
,
董志华
稀有金属材料与工程
研究了Ga2O3/Al2O3膜氨化反应自集结制备GaN薄膜的光致发光特性,讨论了发光机制以及生长条件对其光致发光特性的影响.样品的荧光光谱在347 nm有一强发光峰,在412 nm有一弱发光峰,这两个峰的强度都随着氨化温度的升高和氨化时间的增长而增强,但峰的位置保持不变.我们认为347 nm的峰是G...
关键词:
GaN薄膜
,
荧光光谱
,
带边发射
,
辐射复合
薛成山
,
孙振翠
,
魏芹芹
,
曹文田
,
庄惠照
稀有金属材料与工程
用射频磁控溅射工艺在室温扩镓硅衬底上沉积Ga2O3膜,然后在氨气气氛下氮化Ga2O3膜得到GaN微米带,用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、选区电子衍射(SAED)、X射线光电子能谱(XPS)及光致发光谱(PL)对薄膜样品进行了结构、表面形貌、组分及发光特性分析.SEM图像显示直径约为100...
关键词:
Ga2O3薄膜
,
GaN微米带
,
射频磁控溅射
魏芹芹
,
薛成山
,
孙振翠
,
曹文田
,
庄惠照
稀有金属材料与工程
研究了Ga2O3/Al2O3膜反应自组装制备GaN薄膜.首先利用磁控溅射法在硅衬底上制备Ga2O3/Al2O3膜,再将Ga2O3/Al2O3膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到了GaN薄膜.用X射线衍射(XRD),X光光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和荧光光谱(PL)对样品进行...
关键词:
GaN
,
Ga2O3/Al2O3膜
,
氨化
,
磁控溅射
曹文田
,
孙振翠
,
魏芹芹
,
薛成山
,
孙海波
稀有金属材料与工程
采用热壁化学气相沉积工艺在Si(111)衬底上生长GaN晶体膜,并对其生长条件进行研究.用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光光谱(PL)对样品进行结构、形貌和发光特性的分析.测试结果表明:用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN晶体膜.实验结果显示:采用该工艺制备GaN晶体膜时,选择H2作反...
关键词:
热壁化学气相沉积
,
GaN晶体膜
,
载体H2
孙振翠
,
曹文田
,
魏芹芹
,
薛成山
稀有金属材料与工程
采用NH3为N源,以Ga2O3粉末为Ga源高温氨化形成GaN粉末.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对粉末进行结构、形貌分析.结果表明:当Ga源温度为850℃时得到六方纤锌矿结构的GaN晶体颗粒.
关键词:
氨化
,
GaN晶粒
,
Ga源温度
魏芹芹
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2012.01.012
随着集成电路的不断发展,电路中互连线规模越来越大,尺寸越来越小,需要承受的电流密度越来越大.在这种趋势下,传统的铜互连线的有效性和可靠性都随之变差.由于碳纳米管具有良好的电学,热学和机械性能,使其成为目前研究较热的互连材料之一.本文概述了碳纳米管用于集成电路互连的优势,碳纳米管互连的电路模型,碳纳米...
关键词:
纳米材料
,
碳纳米管
,
综述
,
互连
魏芹芹
,
薛成山
,
孙振翠
,
庄惠照
,
王书运
稀有金属材料与工程
研究了Ga2O3/Al2O3膜反应自组装制备GaN薄膜.首先利用磁控溅射法在硅衬底上制备Ga2O3/Al2O3膜,再将Ga2O3/Al2O3膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到GaN薄膜.用傅里叶红外谱仪(FTIR),X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对试样进行结构、组分和形貌分析.通过分析薄膜各方...
关键词:
GaN
,
Ga2O3/Al2O3膜
,
氨化
,
磁控溅射
曹文田
,
孙振翠
,
魏芹芹
,
薛成山
,
庄惠照
,
高海永
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.03.019
采用射频磁控溅射在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜,然后氮化反应组装GaN晶体膜,并研究氮化时间对薄膜晶体质量的影响.测试结果表明:采用两步法生长得到六方纤锌矿结构的GaN多晶膜,扩镓硅层有效的抑制了硅衬底的氮化和弛豫了GaN与Si衬底的热失配.同时显示:在相同的氮化温度下,晶粒尺寸随氮化时间的增加而增...
关键词:
射频磁控溅射
,
Ga2O3薄膜
,
GaN晶体膜
,
氮化温度
