张娟
,
沈鸿烈
,
鲁林峰
,
唐正霞
,
江丰
,
李斌斌
,
刘恋慈
,
沈洲
功能材料
采用离子束溅射沉积Fe/Si多层膜的方法在石英衬底上制备了β-FeSi2薄膜,研究了不同厚度比的Fe/Si多层膜对β-FeSi2薄膜的结构性能、形貌及光学性能的影响.结果表明,厚度比为Fe(2nm)/Si(7.4nm)的多层膜在退火后完全生成了β-FeSi2相,表面致密均匀,其光学带隙为0.84eV,能量为1.0eV光子的吸收系数＞105cm-1.
关键词:
β-FeSi2
,
离子束溅射沉积
,
Fe/Si多层膜
,
石英衬底
鲁林峰
,
沈鸿烈
,
张娟
,
江丰
,
李斌斌
,
沈洲
,
刘恋慈
人工晶体学报
采用射频磁控溅射方法,在Si(111)和石英衬底上制备了Fe/Si亚层厚度比不同的多层膜.多层膜的总厚度为252 nm,Fe/Si亚层厚度比分别为1 nm/3.2 nm、2 nm/6.4 nm和20 nm/64 nm.在850 ℃, Ar气气氛中退火2 h后,Si衬底上的多层膜完全生成了β-FeSi2相.但石英衬底上同样Fe/Si亚层厚度比的多层膜除了生成β-FeSi2相,还生成了少量的ε-FeSi相.通过增加Si亚层的厚度至Fe/Si亚层厚度比为2 nm/7.0 nm,在石英衬底上也获得了单相的β-FeSi2薄膜, 其光学带隙为0.87 eV,表面均方根粗糙度为2.34 nm.
关键词:
β-FeSi2薄膜
,
石英衬底
,
亚层厚度比
,
多层膜
蔡红
,
沈鸿烈
,
黄海宾
,
唐正霞
,
鲁林峰
,
沈剑沧
功能材料
采用电化学腐蚀的方法制备了不同孔径的多孔硅薄膜样品,并在1050℃高温下进行了退火.采用扫描电镜和拉曼光谱对多孔硅退火前后结构的变化进行了观察,根据晶体形核理论分析了孔径变化的机理,并从热力学角度对其微观机制进行了讨论.实验和理论分析的结果均表明,多孔硅的初始孔径存在一个临界值,初始孔径小于此临界值时,孔在高温退火中有收缩的趋势;反之,初始孔径大于此临界值时,孔有变大的趋势.
关键词:
多孔硅
,
高温退火
,
拉曼谱
,
形核理论
张惠
,
沈鸿烈
,
鲁林峰
,
江丰
,
冯晓梅
功能材料
采用射频磁控溅射法在PEN衬底上室温制备了AZO薄膜,并对不同工作气压下(0.05～0.4Pa)沉积薄膜的结构及光电性能进行了研究.结果表明,薄膜具有良好的c轴择优取向,随工作气压增大,薄膜(002)峰强度减弱,晶粒减小,表面粗糙度增大,电学性能下降,薄膜可见光透过率变化不大,但禁带宽度变窄.与玻璃衬底相比,PEN衬底上沉积的AZO薄膜拥有更高的品质因数,获得的最佳电阻率、载流子浓度和霍尔迁移率分别为1.11×10-3Ω·cm、4.14×1020cm-3和13.60cm2/(V·s),该薄膜可见光的绝对透射率达到95.7%.
关键词:
AZO薄膜
,
磁控溅射
,
工作气压
,
PEN衬底
朱云广
,
沈鸿烈
,
陈海力
,
鲁林峰
,
管浩
人工晶体学报
采用机械合金化结合冷等静压的方法制备了Co4-xFexSb12化合物,探讨了Fe掺杂对化合物热电性能的影响;利用基于密度泛函理论赝势平面波的方法对Fe掺杂前后的CoSb3的电子结构进行了计算.结果表明:在Co4-xFexSb12化合物中Fe的固溶极限x在0.3～0.5之间;CoSb3的费米而位于导带和价带之间,其电阻率随温度的升高而降低,为非简并半导体;Fe掺杂后费米面进入价带,使其成为P型简并半导体,电阻率较掺杂前大大降低并随温度的升高而增加;本实验条件下,Co37Fe0.3Sb12化合物的功率因子在600 K时出现1406.31μW/ m·K2的最高值,是未掺杂试样的功率因子最高值的7.4倍.
关键词:
Co4-xFexSb12
,
冷等静压
,
热电性能
,
电子结构
,
能带结构
,
态密度
林龙
,
李斌斌
,
鲁林峰
,
江丰
,
沈鸿烈
人工晶体学报
通过磁控溅射方法在玻璃衬底上制备Cu2O薄膜,采用X射线衍射(XRD)、分光光度计、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)等研究了氧气流量对Cu2O薄膜性能的影响.结果表明:氧气流量为4.2 sccm时,薄膜为单相的Cu2O,具有较高的结晶质量和可见光透过率,光学带隙为2.29 eV,薄膜的导电类型是p型且空穴浓度为2×1016 cm-3.通过XPS能谱分析Cu 2p3/2和O 1s结合能,确定了薄膜中Cu以+1价存在.
关键词:
氧化亚铜
,
磁控溅射
,
电阻率
,
光透射率
,
氧气流量
唐正霞
,
沈鸿烈
,
解尧
,
鲁林峰
,
江枫
,
沈剑沧
功能材料
以Corning Eagle 2000玻璃为衬底,用磁控溅射法制备了glass/a-Si/SiO_2/Al叠层结构,于Ar气保护下退火,制备了具有很强的(111)择优取向,最大晶粒尺寸达100μm的铝诱导晶化多晶硅薄膜.研究结果表明,非晶硅的氧化时间越长,所制备的多晶硅晶粒尺寸越大,当氧化时间达约47h后,再延长氧化时间对薄膜性能的影响不明显.还发现退火温度越高,晶粒越小,但是反应速率越快.
关键词:
薄膜
,
多晶硅
,
铝诱导晶化
,
氧化时间
