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应变GaN量子点中激子态的研究

戴宪起 , 黄凤珍 , 史俊杰

功能材料

利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了约束在GaN/AlxGa1-xN圆柱形量子点中的激子特性与量子点的结构参数以及势垒层中Al含量之间的关系.结果表明:对给定大小的量子点,随其高度的增加激子结合能出现一最大值,此时载流子被最有效的约束在量子点内;内建电场使量子点...

关键词: GaN量子点 , 激子结合能 , 自发极化和压电极化