材料期刊网

用正电子湮没技术研究Cr和Nb对TiAl合金中缺陷和d-d电子相互作用的影响

祝莹莹 , 邓文 , 孙顺平 , 江海峰 , 黄宇阳 , 曹名洲 , 熊良钺

稀有金属材料与工程

测量Al,Si,Ti,Cr,Nb等纯元素以及Ti50Al50,Ti50l48Cr2,Ti50Al48Nb2合金的符合正电子湮没辐射多普勒展宽谱和寿命谱,获得金属及合金中d电子和缺陷的信息.结果表明,二元TiAl合金的电子密度和3d电子的信号较低,晶界缺陷的开空间较大.在TiAl合金中加入Cr或Nb,合金中的d-d电子作用增强,基体和晶界处的电子密度均增加.Ti50Al48Cr2合金的多普勒展宽谱的d电子信号高于Ti50Al48Nb2合金.讨论了Cr和Nb对TiAl合金中缺陷和d-d电子相互作用的影响.

关键词: TiAl合金 , d-d电子相互作用 , 缺陷 , 正电子湮没技术

NiTi形状记忆合金相变过程的正电子湮没研究

邓文 , 胡益丰 , 岳丽 , 郝文博 , 黄乐 , 黄宇阳 , 熊良钺

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2006.03.008

采用正电子湮没技术研究了NiTi合金在降温和升温过程中缺陷和电子密度随温度的变化.在降温过程中,当温度从295K降至225K时,合金的电子密度nb随温度的降低而下降,在225K时降至最小;随后,nb随温度的降低而升高.当温度从295K降至221K时,合金缺陷的开空间随温度的下降而升高,在221K时达到最大值;随后,缺陷的开空间随温度的下降而下降.在升温过程中,当温度从25K升至253K时,合金的电子密度nb随温度的升高而降低,并在253K时达到最小;当温度从253K升至295K时,合金电子密度nb随温度的升高而升高.在相变临界温度点Ms=222K,Mf=197.2K,A,=237.5K,Af=255.5K附近,合金的电子密度nb及合金缺陷的开空间均有异常的变化.

关键词: NiTi合金 , 微观缺陷 , 电子密度 , 马氏体相变 , 正电子湮没

用正电子湮没技术研究Zr和Nb在TiAl合金中的行为

黄宇阳 , 吴伟明 , 邓文 , 钟夏平 , 熊良钺 , 曹名洲 , 龙期威

中国有色金属学报

关键词:

金属中高动量电子分布的实验研究

邓文 , 阮向东 , 黄宇阳 , 周银娥 , 祝莹莹 , 罗里熊

金属学报

测量了Al, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga等金属的正电子湮没辐射Doppler展宽谱。采用双探头符合技术，可大幅度地降低谱线的本底，并获得正电子与原子内层电子湮没对谱线的贡献。实验结果表明：谱线的本底随样品与高纯Ge探头之间距离的增加而减小； Ni的商谱(以单晶Al为参考)的谱峰随谱线本底的降低而升高；元素周期表中第四周期的Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu金属的商谱的谱峰随原子的3d 电子数目的增多而升高。

关键词: 正电子湮没 , coincidence technique , background

La2O3掺杂对ZnNb2O6陶瓷微观缺陷和介电常数的影响

唐宇 , 陈松 , 韩艳玲 , 黄宇阳 , 邓文

功能材料

通过测量不同La2O3含量的ZnLa2xNb2(1-x)O(6-2x)微波介质陶瓷的介电常数、符合正电子湮没辐射多普勒展宽谱和寿命谱,研究不同La2O3含量对该陶瓷介电常数和微观缺陷的影响.结果表明,x＜0.20时,随着La2O3含量增加,样品正电子平均寿命τm和缺陷浓度减小,致密度、商谱谱峰和介电常数εr升高.x=0.20时,样品正电子平均寿命τm和缺陷浓度最小,致密度、商谱谱峰和介电常数εr最高.x≥0.30时,样品正电子平均寿命τm和缺陷浓度升高,致密度、商谱谱峰和介电常数εr降低.

关键词: La2O3 , ZnNb2O6微波介电陶瓷 , 介电常数 , 微观缺陷

石墨和纳米碳中缺陷和电子密度随温度的变化

黄宇阳 , 郝文博 , 岳丽 , 黄乐 , 胡益丰 , 邓文

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2006.03.009

测量了石墨和纳米碳在不同温度下的正电子寿命谱,研究了石墨和纳米碳中缺陷和电子密度随温度的变化.结果表明,纳米碳中缺陷的开空间和缺陷浓度分别大于和高于石墨晶体;纳米碳的平均自由电子密度低于石墨晶体.当温度从25K升至295K时,石墨和纳米碳中的平均自由电子密度随温度的升高而下降:石墨晶体中的自由电子密度随温度的升高变化较小;纳米碳的自由电子密度随温度的升高变化较大.随着温度的升高,石墨和纳米碳中的热空位数量增多,而且这些空位可迁移至微孔洞的内表面使微孔洞的开空间增大.

关键词: 正电子湮没 , 石墨 , 纳米碳 , 微观缺陷 , 电子密度

掺V和Ag的TiAl合金中缺陷和电子密度的正电子湮没研究

邓文 , 祝莹莹 , 周银娥 , 黄宇阳 , 曹名洲 , 熊良钺

稀有金属材料与工程

测量了Ti50Al50,Ti50Al48V2,Ti50Al48Ag2合金和充分退火的Ti,Al,Ag,V金属的正电子寿命谱,利用正电子寿命参数分别计算了合金基体和缺陷态的自由电子密度.TiAl合金的脆性与其基体和晶界缺陷处的自由电子密度较低有关.在富Ti的TiAl合金中加入V,V原子比Al和Ti原子能提供较多的自由电子参与形成金属键,因而提高了合金基体和晶界缺陷处的自由电子密度;在TiAl合金中加入Ag也有类似的效应.在TiAl合金中加入V和Ag,有利于提高合金的韧性.

关键词: TiAl合金 , 电子密度 , 缺陷 , 正电子湮没

金属中高动量电子分布的实验研究

邓文 , 阮向东 , 黄宇阳 , 周银娥 , 祝莹莹 , 罗里熊

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2005.01.007

测量了Al,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn,Ga等金属的正电子湮没辐射Doppler展宽谱.采用双探头符合技术,可大幅度地降低谱线的本底,并获得正电子与原子内层电子湮没对谱线的贡献.实验结果表明:谱线的本底随样品与高纯Ge探头之间距离的增加而减小;Ni的商谱(以单晶Al为参考)的谱峰随谱线本底的降低而升高;元素周期表中第四周期的Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu金属的商谱的谱峰随原子的3d电子数目的增多而升高.

关键词: 正电子湮没 , 符合技术 , 本底 , 3d电子

石墨和纳米碳中缺陷和电子动量的研究

邓文 , 周银娥 , 祝莹莹 , 黄宇阳 , 刘起秀 , 熊良钺

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2005.01.016

用正电子湮没技术研究了石墨和纳米碳中的缺陷和电子动量.结果表明, 纳米碳中缺陷的开空间和缺陷浓度分别大于和高于石墨晶体.纳米碳中存在开空间小于单空位的自由体积以及开空间相当于约10个空位聚集体的微孔洞.石墨晶体中的自由电子动量分布表现出显著的各向异性: 沿石墨晶体的[0 001]晶向的自由电子(即2Pz电子)的动量最大; 偏离该方向越大, 自由电子的动量越小; 垂直于[0 001]晶向的自由电子的动量最小.而纳米碳中自由电子动量的分布表现出各向同性.

关键词: 正电子湮没 , 石墨 , 纳米碳 , 缺陷 , 电子动量

微观缺陷和3d电子对La2/3Ca1/3Mn1-xFexO3陶瓷磁电阻性能的影响

郭秋娥 , 黄宇阳 , 邓文

材料导报

用符合正电子湮没辐射Doppler展宽技术研究了La2/3Ca1/3Mn1-xFexO3陶瓷的缺陷和3d电子行为.结果表明:对x≤0.33的样品,随着样品中Fe含量的增加,3d电子数量增加,样品的商谱谱峰升高；对x＞0.50的样品,随着样品中Fe含量的增加,样品中有新相生成,体系缺陷增加,样品的商谱谱峰降低.测试了La2/3Ca1/3Mn1-x-FexO3多晶陶瓷的磁电阻性能,讨论了微观缺陷和3d电子对La2/3Ca1/3Mn1-xFexO3多晶陶瓷磁电阻性能的影响.

关键词: 钙钛矿锰氧化物 , 正电子湮没技术 , 3d电子 , 磁电阻特性