唐婧婧
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赵北君
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朱世富
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何知宇
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陈宝军
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黄巍
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刘维佳
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张聪
人工晶体学报
采用AIM-8800红外显微镜观察了CdGeAs2晶体的面扫描红外透过图像,分别在2.3～4μm、4～8 μm和8～18μm三个波段对退火前后的CdGeAs2晶片红外透过率和面扫描红外透过图像进行了对比分析,研究了晶体的红外均匀性.结果表明,CdGeAs2晶体在多晶粉末包裹下经450℃退火150 h后,其红外透过率和红外透过均匀性都得到较大程度的改善,其中在2.3 ～4μm和4～8μm波段的改善效果尤为显著；分析了影响晶体红外透过率和均匀性的主要因素,探讨了改善晶体均匀性的可能途径.研究结果对于快速评判CdGeAs2晶片质量具有重要的实用价值.
关键词:
CdGeAs2晶体
,
退火
,
红外透过率
,
光学均匀性
吴莉姝
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赵北君
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何知宇
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陈宝军
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朱世富
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黄巍
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杨登辉
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沙铭宇
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王文阳
人工晶体学报
采用一种新的定向方法,快速定出了AgGa0.7In03Se2晶体c轴方向,制备得到[001]、[100]方向的块状样品;采用德国B(a)hr公司的WinTA 100热膨胀仪对其进行测试,分别获得了晶体沿c轴、a轴方向的热膨胀系数,分析了它们随温度变化的规律以及晶体出现反常热膨胀的机制;计算出晶体的体热膨胀系数和各向异性因子,分析讨论了晶体非轴向热膨胀系数在不同温度下随cos2φ的变化规律.
关键词:
AgGa0.7In0.3Se2
,
c轴定向
,
热膨胀
甄珍
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赵北君
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朱世富
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何知宇
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陈宝军
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黄巍
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蒲云肖
,
钟义凯
无机材料学报
doi:10.15541/jim20150232
采用 WinTA 100热膨胀仪研究了四方黄铜矿 CdGeAs2晶体在320~620 K 温度范围内的热膨胀行为,探索了CdGeAs2晶体热膨胀各向异性的物理机制。测定晶体a轴和c轴方向的热膨胀系数αa和αc发现,αa>>αc>0,表现出强烈的各向异性热膨胀特性。利用最小二乘法,拟合出CdGeAs2晶体的晶格常数(a, c)与温度(T)的函数关系式,与文献报道值吻合。分别计算出不同温度下的四方畸变因子δ=2–c/a, Cd-As 键长(lCd?As)和 Ge-As 键长(lGe?As)以及相应的热膨胀系数αCd?As和αGe?As。结果表明, a、c、δ、lCd?As、lGe?As和αCd?As均随着温度的升高而增大, c/a和?Ge?As则随着温度的升高而减小。当T=360 K时,αCd?As是αGe?As的6.36倍,是造成CdGeAs2晶体强烈热膨胀各向异性的主要原因。
关键词:
CdGeAs2晶体
,
热膨胀
,
四方畸变
钟义凯
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赵北君
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何知宇
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黄巍
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陈宝军
,
朱世富
,
杨登辉
,
冯波
人工晶体学报
ZnGeAs2是黄铜矿结构的三元化合物半导体材料,在红外非线性光学方面有重要应用前景.本文探讨了ZnGeAs2多晶的形成途径和合成机理,报道了一种ZnGeAs2多晶合成方法.以高纯(6N)Zn、Ge、As单质为原料,按化学计量比,富Zn1‰和As2‰配料,采用双温区合成方法,辅以机械、温度振荡和梯度降温的合成工艺,合成出均匀致密的单相ZnGeAs2多晶.经XRD和EDS分析表明:合成产物为黄铜矿结构的单相ZnGeAs2多晶,晶胞常数为a=b=0.56745 nm,c=1.11580 nm,与标准PDF卡片(No.730397)一致;各组成元素的原子比Zn∶Ge∶AS=1.00∶0.98∶1.95,接近理想化学计量比.上述分析结果表明,合成产物可用于ZnGeAs2单晶生长,为进一步研究ZnGeAs2晶体的非线性光学性能和应用奠定了较好的基础.
关键词:
红外非线性光学晶体
,
砷锗锌
,
多晶合成
,
双温区合成方法
林莉
,
赵北君
,
朱世富
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何知宇
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陈宝军
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孙宁
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黄巍
,
杨登辉
,
钟义凯
稀有金属材料与工程
采用改进的布里奇曼法生长出CdSiP2单晶体,运用X射线能谱仪、傅里叶变换红外分光光度计以及红外显微镜等对在不同气氛中退火前后的CdSiP2晶体进行了组分元素、红外吸收系数以及红外透过均匀性测试,根据红外显微镜Mapping图像的标准差值评判了晶体的红外透过均匀性.研究结果表明,经真空、CdSiP2粉末包裹、P/Cd(原子比为2:1)、Cd气氛等退火后,晶体组分元素的化学计量比、红外吸收系数和红外光学均匀性都得到了不同程度的改善,其中在1.29～2.00 μum,经CdSiP2粉末包裹退火后的晶体吸收系数改善显著,在1.92～1.98 μm波段的红外透过均匀性提高了14.06％;而在Cd气氛下退火后晶体的吸收系数在2.00～6.50 μm波段降低最为明显,在2.70～2.78 μm波段红外透过均匀性提高了17.43％.分析讨论了在上述波段中引起晶体红外吸收和红外透过不均匀性的主要因素,研究出较为有效的CdSiP2晶体退火工艺.
关键词:
CdSiP2晶体
,
退火热处理
,
红外吸收系数
,
红外透射Mapping图像
,
红外透过均匀性
王曦
,
杨根庆
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柳襄怀
,
郑志宏
,
黄巍
,
周祖尧
,
邹世昌
金属学报
本文提出一个合成TiN硬质薄膜的新方法,在氮气氛中,电子束蒸发沉积Ti的同时,用40keV的氙离子束对其进行轰击而合成TiN薄膜,该方法优于PVD和CVD之处在于合成温度低,薄膜与基体结合力强,其临界载荷达4.2kg,Knoop硬度达2200kg/mm~2,具有良好的耐磨损性能,报道了所合成的TiN薄膜在工业上应用的一些结果。
关键词:
TiN薄膜
,
ion beam enhanced deposition
周建坤
,
柳襄怀
,
陈酉善
,
王曦
,
郑志宏
,
黄巍
,
邹世昌
金属学报
用电子束蒸发沉积钛和40keV氮离子束轰击交替进行的办法合成了TiN薄膜。用RBS,AES,TEM,XPS,和X射线衍射研究TiN薄膜的组分和结构表明:用离子束增强沉积制备的TiN薄膜主要由TiN相构成;晶粒大小为30—40um,无择优取向;而非离子束轰击沉积的薄膜则是无定形的;用离子束增强沉积制备的TiN薄膜,其氧含量明显小于无离子束轰击薄膜的值;在TiN薄膜和衬底之间存在一个界面混合区,厚度为40um左右。机械性能测试表明,TiN薄膜具有高的显微硬度,低的摩擦系数。
关键词:
TiN薄膜
,
ion beam enhanced deposition
黄巍
,
赵北君
,
朱世富
,
何知宇
,
陈宝军
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李佳伟
,
虞游
人工晶体学报
报道了一种新型的CdGeAs2晶体择优腐蚀剂,配方为:H2O2(30%): NH4OH(含NH325%-28%): NH4Cl(5mol/L): H2O=1 mL: 1.5 mL: 1.5 mL: 2 mL.将经机械研磨、物理抛光和溴甲醇化学抛光处理后的表面平整无划痕的CdGeAs2晶片,在40 ℃下超声振荡腐蚀数分钟,采用金相显微镜和SEM进行蚀坑观察.结果表明,新型腐蚀剂对CdGeAs2晶体(204)和(112)晶面择优腐蚀效果显著,蚀坑取向一致,具有很强的立体感;(204)晶面蚀坑呈三角锥形,(112)晶面蚀坑呈五边形,从晶体结构上对蚀坑形成机理进行了分析讨论.
关键词:
CdGeAs2晶体
,
化学腐蚀剂
,
蚀坑形貌
,
缺陷分析
柳襄怀
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郑志宏
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黄巍
,
林梓鑫
,
邹世昌
中国腐蚀与防护学报
用多次扫描循环极化法研究经离子束表面改性的Ni_3Al(0.1B)在H_2SO_4溶液中的腐蚀行为。电化学测试和表面形貌的观察结果表明,离子注入、离子束混合和离子束辅助沉积技术对减缓Ni_3Al(0.1B)在用氧气饱和的1N H_2SO_4溶液中的腐蚀和改善钝化性能很有效果。
关键词:
钱建刚
,
徐敏
,
滕晓明
,
黄巍
航空材料学报
doi:10.3969/j.issn.1005-5053.2010.5.012
为使AZ91D镁合金表面浸锌时无需采用氢氟酸进行前处理,采用百格试验和盐雾试验等方法对浸锌液主要成份及工艺参数对所得浸锌层性能的影响进行了研究.结果表明:浸锌液中硫酸锌和焦磷酸钾的浓度、浸锌液的温度、pH值以及浸锌时间均对浸锌层的质量有很大影响;最佳浸锌液的组成为:硫酸锌40g/L,焦磷酸钾125g/L,抑制剂20g/L,添加剂80g/L,与工艺参数温度75±5℃,pH值10.5±0.5,时间2～3min;在最佳浸锌条件下可在AZ91D镁合金表面获得浸锌层的结合力良好,耐盐雾时在最佳浸锌条件下可在AZ91D镁合金表面获得浸锌层的结合力良发好,耐盐雾时间为28min,将浸锌后的镁合金进行电镀铜试验,铜镀层结合力与耐蚀性均良好.
关键词:
镁合金
,
浸锌
,
结合力
,
耐蚀性
