黄平杨春介伟伟
材料研究学报
构建了SrTiO3(STO)薄膜在GaN基底(0001)表面沿不同方向偏转10o、20o、30o、40o和50o具有不同界面结构的生长模型, 采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法对GaN(0001)表面外延生长不同方向的STO进行了总能量模拟计算。结果表明, 在晶格失配小的理想外延方向即[1--10]SrTiO3//[10--10]GaN的能量最高, 结构不稳定; 而随着STO[1--10]沿GaN[10--10]方向角度的偏转, 能量迅速降低, 偏转角度为30o时能量最低, 即外延关系为[1--10]SrTiO3 //[11--20]GaN时最稳定, 与实验结果一致。能量计算结果表明, STO/GaN磁电薄膜有利于形成STO--Ti--GaN的界面结构。
关键词:
材料表面与界面
,
rotation models
,
DFT
,
STO/GaN magnetoelectric films
