艾凡凡
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张光春
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顾晓峰
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李果华
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汪义川
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杨健
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陈如龙
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贾积凯
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张杰
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黄治国
人工晶体学报
本文采用等离子增强化学气相沉积的方法在硅片表面镀一层约80 nm厚的氮化硅掩膜,然后使用传统的丝网印刷工艺将含有一定量磷酸的腐蚀浆料印刷在氮化硅掩膜表面,腐蚀出电极图形,经过三氯氧磷液态源扩散完成重扩,去除氮化硅掩膜后进行浅扩最终实现选择性发射极.丝网印刷腐蚀浆料开窗相对于激光熔融、等离子刻蚀和光刻...
关键词:
晶体硅太阳电池
,
选择性发射极
,
PECVD
,
氮化硅掩膜
