李晓冬
,
朱红兵
,
褚家宝
,
黄士勇
,
孙卓
,
陈奕卫
,
黄素梅
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.05.011
在低真空(2.3×10-3 Pa)下采用射频磁控溅射法制备了ITO薄膜.溅射温度200 ℃,溅射气氛为氩气和氧气的混合气,溅射靶材为90 %氧化铟、10 %氧化锡的陶瓷靶.用场发射扫描电子显微镜和X衍射仪研究了薄膜的显微结构, 用X射线光电子能谱表征了薄膜的成分.ITO薄膜在可见光范围内有较高的透射率(80 %～95 %).在低工作气压(1 Pa)下,氧气流量比率[O2/(O2+Ar)]越小,薄膜的透射率越高、导电性越好.在高工作气压(2 Pa)下,制备得到低质量、低透射率的无定形薄膜.
关键词:
氧化铟锡
,
薄膜
,
射频磁控溅射
,
X射线光电子能谱
李晓东
,
潘丽坤
,
黄素梅
,
林丽峰
,
陈奕卫
,
孙卓
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.01.011
研究非晶Tb/Fe/Dy(样品A)和Fe/Tb/Fe/Dy(样品B)纳米多层膜超磁致伸缩性能和磁性能.磁滞回线表明样品A的垂直磁各向异性而样品B有面向磁各向异性,样品B比样品A更好的磁性能.样品B有很好的低场超磁致伸缩性能,在外磁场为0.12T情况下样品B的超磁致伸缩性能是样品A的五倍,即从16ppm变为82ppm.
关键词:
超磁致伸缩
,
Terfenol-D
,
纳米多层膜
姚雨
,
靳彩霞
,
董志江
,
孙卓
,
黄素梅
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.03.008
应用ICP干法刻蚀工艺和自然光刻技术,制备了ITO表面粗化的GaN基LED芯片.聚苯乙烯纳米颗粒在于法刻蚀中作为刻蚀掩膜.通过扫描电镜(SEM)观察ITO薄膜的粗糙度,并且报道了优化的粗化工艺参数.结果表明,ITO表面粗化的GaN基LED芯片同传统的表面光滑的芯片相比在20 mA的驱动电流下,发光强度提高了70%.
关键词:
GaN基发光二极管
,
铟锡氧化物
,
表面粗化
,
自然光刻
