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离子注入改性SOI材料总剂量辐射退火效应和机理研究

陈明 , 毕大炜 , 黄辉祥 , 邹世昌 , 张正选

功能材料与器件学报

基于绝缘体上硅(SOI)的CMOS电路具有天然的抗单粒子优势,但绝缘埋层的存在使得其总剂量效应尤为突出和复杂.本文研究了利用离子注入改性SOI材料的总剂量辐射和退火效应、基于赝MOS技术的SOI材料辐射效应评估技术和离子注入改性提高SOI材料抗辐射性能的机理.实验结果表明,采用该技术制备的绝缘体上硅...

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