冯秀鹏
,
李世帅
,
黄金昭
,
孙茂峰
,
张仲
,
陶冶薇
功能材料
分别用固相烧结法和溶胶-凝胶法制备了A位双掺杂的双钙钛矿型氧化物(Sr2-3xLa2xCax)FeMoO6.XRD显示所有样品均为多晶单相,随掺杂量增加,样品空间群在x=0.2处转变,由I4/m群转变为Fm3-m群.四探针法对电输运性质的表征表明,样品电阻率随反位缺陷程度的加剧而增加,随平均晶粒尺寸的增大而减小,定量掺杂以限制化合物相结构、完善制备工艺以优化晶界条件,能有效控制材料的电导性质.
关键词:
双钙钛矿
,
溶胶-凝胶法
,
固相烧结法
,
电输运性质
,
晶粒尺寸
李世帅
,
冯秀鹏
,
黄金昭
,
张仲
,
陶冶微
功能材料
以Zn(NO3)2和NaOH为原料,在不使用任何添加剂的条件下,采用水热合成法在不同的合成时间和合成温度下制备棒状纳米ZnO颗粒.通过X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、光致发光谱(PL)、电导率测试对样品进行表征.结果表明,所制备的纳米ZnO粉末具有六方红锌矿结构并沿(101)面择优生长;随着合成时间和温度的增加,样品的纯度逐渐增加;合成时间为25h,温度为200℃时,样品的结晶最好,样品基本成棒状,平均直径约为30～40nm,长度约为300～400nm、电阻率最大,且在376nm和500～600nm处有明显发射现象.深入分析了上述结果的形成原因.
关键词:
水热合成
,
纳米ZnO
,
光致发光
,
电阻率
,
缺陷能级
黄金昭
,
徐征
,
李海玲
,
亢国虎
,
王文静
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2005.04.012
利用射频反应磁控溅射制备Fe:NiOx阳极催化膜,对其在电解液中的电极过程进行分析,明确整个电极过程的控制步骤--电化学步骤.根据实验结果及塔菲尔方程求出电化学步骤的重要动力学参数(塔菲尔斜率b,交换电流密度i0),并通过XPS和SEM分析影响过电势的因素.
关键词:
动力学
,
电极过程
,
Fe:NiOx
黄金昭
,
徐征
,
李海玲
,
亢国虎
,
王文静
功能材料
Fe:NiOx薄膜作为太阳能光电化学制氢的阳极催化膜,是在O2/Ar气氛中,利用射频反应磁控溅射方法制备的.O2含量在10%～40%范围内变化.通过对氧过电位、结构、形貌、组分和透过率的测定,来确定O2含量与上述电化学及物理性能的关系.当O2含量为40%,电流密度为8mA/cm2时的氧过电位为250mV.当O2含量增大,过电势减小,而透过率却有所降低,这与膜的结构和组分有关.
关键词:
Fe:NiOx
,
过电势
,
光电化学
张仲
,
冯秀鹏
,
李世帅
,
黄金昭
,
陈康
人工晶体学报
利用自制的Ba2 FeMoO6陶瓷靶材,采用脉冲激光沉积技术,在钛酸锶SrTiO3 (100)衬底上,于衬底温度分别为700℃、800℃、900℃下制备出了厚度为100 nm的双钙钛矿型氧化物Ba2 FeMoO6薄膜.分别采用XRD、AFM和VSM表征了样品的结构、表面形貌和磁性质.结果表明,在衬底温度为900℃时沿c轴择优取向生长效果最佳、成膜质量最好,从生长过程角度解释了原因；样品M-H曲线表明在衬底温度不同时生长出的各样品均具有铁磁性,其磁性随衬底温度的升高而增加,分子饱和磁矩在700℃到800℃时变化显著,在800℃到900℃时变化不是很大.
关键词:
脉冲激光沉积
,
Ba2 FeMoO6薄膜
,
衬底温度
,
磁性质
,
饱和磁矩
李泓霖
,
张仲
,
吕英波
,
黄金昭
,
刘如喜
金属学报
doi:10.3724/SP.J.1037.2012.00667
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了稀土Eu掺杂ZnO结构的能带结构、态密度以及光学性质,并与未掺杂体系进行了对比分析.结果表明,Eu掺杂的ZnO结构引入了由Eu贡献的导电载流子,体系的电导率增强,Fermi能级上升进入导带并表现n型导电性.光学性质上,掺杂结构在低能区域的吸收系数要比纯净ZnO高.在随后的实验部分,通过烧结法制备了Eu掺杂的ZnO粉体,并利用SEM,XRD和光致发光光谱(PL)表征了掺杂前后ZnO结构的变化.结果表明,Eu的掺入使得ZnO的晶格常数变大,结晶程度变弱.
关键词:
ZnO
,
Eu
,
掺杂
,
第一性原理
宋林
,
徐征
,
赵谡玲
,
张福俊
,
黄金昭
,
黄金英
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.04.007
有机薄膜晶体管以其成本低、柔性好、易加工等优点越来越受到人们的青睐,目前已广泛应用于低端器件.为了获得更实际的应用,OTFTs的性能还需进一步的提高和改善.文章中以酞菁铜(CuPc)为有机半导体材料,制备了双栅结构的有机薄膜晶体管,其阈值电压为-4.5 V,场效应迁移率0.025 cm2/V·s,开关电流比Ion/Ioff达到9.8×103,与单栅有机薄膜晶体管相比,双栅器件在更低的操作电压下获得了更大的输出电流,场效应迁移率更高,而且通过对两个栅压的调节,对导电沟道实现了更好的控制,器件性能有了较大的提高.
关键词:
有机薄膜晶体管
,
双栅
,
酞菁铜
