杨晓云
,
黄震威
,
吴玉琨
,
叶恒强
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2000.07.003
在室温条件下,球磨Si,C混合粉末合成纳米尺寸SiC.采用高分辨电子显微术在原子尺度上详尽地表征了该反应过程.高分辨像表明,在球磨过程中首先形成非晶C(a-C)、非晶Si(a-Si)以及纳米晶Si(c-Si),为合成SiC提供了适宜条件.SiC的合成主要是通过C原子向a-Si及c-Si的扩散.对于前者,形成非晶a-Si(C),然后机械力诱使非晶a-Si(C)晶化;对于后者,C原子直接取代Si原子形成SiC,具有取向关系(111)siC∥(111)si.在一些区域内,还发生局域自蔓延反应,形成稍大尺寸的SiC晶粒.
关键词:
球磨
,
高分辨电镜
,
扩散
,
非晶晶化
,
局域自蔓延
