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氘化硼掺杂金刚石n型电导的研究

俞琳 , 刘东红 , 胡连军 , 戴瑛 , 龙闰 , 闫翠霞

功能材料

室温下缺少浅施主中心,已经成为金刚石材料制造电子器件的主要障碍之一.最近报道显示硼掺杂p型同质外延金刚石暴露在氘离子束中能形成浅施主态的n型电导,这是在外延金刚石材料中首次测出的浅施主能级.本文分析研究了目前p型金刚石出现导电类型转换这一新现象的最新研究进展.

关键词: 金刚石 , 氘化 , n型电导 , 掺杂