材料期刊网

基于乙烯的化学气相沉积法制备少层石墨烯

任文杰 , 朱永 , 龚天诚 , 王宁 , 张洁

功能材料 doi:10.3969/ji.ssn1.001-97312.0151.60.20

采用乙烯作为碳源，利用化学气相沉积法（C V D法），在1000℃条件下在铜箔上制备了少层石墨烯；采用不引入PM M A和PDM S 等杂质的直接转移方法将石墨烯薄膜转移到Si／SiO2基底上，对石墨烯薄膜进行了表征。实验研究表明，减小乙烯的进气量可以提高石墨烯的质量；减少反应时间可以降低无定形碳的含量；增加退火时间可以提高Cu表面结晶质量，更加有利于石墨烯的生长。通过优化各项参数，使用乙烯已经可以制备 I2D／IG ＝08．8的少层石墨烯。

关键词: 石墨烯 , 化学气相沉积 , 乙烯 , Cu