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图形化硅纳米线阵列的制备

龚文莉 , 万丽娟 , 张健

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.06.012

本文主要研究了在常态(常温、常压等)条件下,利用金属催化化学腐蚀方法在硅片表面上大面积制备排列整齐、取向一致的硅纳米线阵列.同时,出于对后续制作硅纳米线传感器考虑,利用微电子标准加工工艺,以氮化硅做掩膜,通过选择合适的实验参数,在硅片表面选择性生长纳米线阵列,得到图形化的硅纳米线阵列.

关键词: 硅纳米线 , 选择性生长 , 图形化