彭晓
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王福会
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D.R.Clarke
金属学报
用光激发荧光谱术分析测量磁控溅射Co-Cr-Al(Y)纳米涂层经1000, 1100和1200℃氧化后Al2O3膜中的残余应力, 获得如下结果: (1) 残余应力随氧化温度升高而增大; (2) 暂态氧化出现的区域应力值明显低于无暂态氧化的区域; (3) 两种涂层1000℃下形成的氧化膜中的残余应力相差不大, 但在1100℃和1200℃下, 含Y涂层形成的氧化膜中的残余应力比不含Y中的高. 对实验结果进行了分析.
关键词:
光激发荧光谱术
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null
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null
彭晓
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王福会
,
D.R.Clarke
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2003.10.009
磁控溅射Co-Cr-Al(Y)纳米涂层在1000,1100和1200℃氧化一定时间后,用光激发荧光谱技术表征热生长的Al2O3相.发现氧化层局部区域存在由非稳态相向稳态相的转变,即:γ→θ→α;其转变过程随温度升高显著加快,并在1200℃下变得不明显.在相同温度下,Y明显减缓A12O3相转变过程.
关键词:
光激发荧光谱术,A12O3,相转变,Co-Cr-Al(Y)纳米涂层,磁控溅射
彭晓
,
王福会
,
D.R.Clarke
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2003.10.010
用光激发荧光谱术分析测量磁控溅射Co-Cr-Al(Y)纳米涂层经1000,1100和1200℃氧化后Al2O3膜中的残余应力,获得如下结果:(1)残余应力随氧化温度升高而增大;(2)暂态氧化出现的区域应力值明显低于无暂态氧化的区域;(3)两种涂层1000℃下形成的氧化膜中的残余应力相差不大,但在1100和1200℃下,含Y涂层形成的氧化膜中的残余应力比不含Y中的高.对实验结果进行了分析.
关键词:
光激发荧光谱术,Al2O3,残余应力,磁控溅射Co Cr Al(Y),纳米涂层
