许小亮
,
何海燕
,
刘洪图
,
施朝淑
,
葛惟昆
,
Luo E Z
,
Sundaravel B
,
Wilson I H
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2002.04.002
我们最近报道了大剂量Al+注入原生GaN后对其光学性质的影响.表明Al+的注入可能产生了某种深能级电子陷阱,由于电子陷阱俘获导带电子,导致发光猝灭.而经一定条件的退火处理,可使深的电子陷阱发生变化,因而与缺陷间的跃迁相关的黄色荧光可得到一定程度的恢复.由于注入样品的电阻率高达1012 Ωcm, 因此...
关键词:
退火
,
离子注入
,
GaN
,
深能级
许小亮
,
施朝淑
,
陈永虎
,
Luo E Z
,
Sundaravel B
,
Wilson I H
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2002.02.002
首次报道了用不同浓度的Al离子注入于蓝宝石衬底上的GaN薄膜(注入能量为500keV、注入浓度为1014～1015 cm-2), 在做了不同温度和不同时间的快速热退火处理以及常规热退火处理后,在12K下用He-Cd 激光(325nm)激发得到其发射谱.结果显示, 经大剂量Al注入后的样品,其光致发光...
关键词:
GaN
,
发光特性
,
退火
,
Al 离子注入
