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Co薄膜中CoSi化合物相转变过程观察

张灶利 , 肖治纲 , 杜国维

金属学报

Ｓｉ衬底上生长的Ｃｏ薄膜，经２５０，４５０，５００℃退火后．用电子显微镜对Ｃｏ／Ｓｉ界面处ＣｏＳｉ化合物的相转变进行了观察结果发现ＣｏＳｉ为多晶颗粒．ＣｏＳｉ相和基体无取向关系Ｃｏ／Ｓｉ界面在退火温度范围内的相变过程为：２５０─４５０℃４５０─５００℃Ｃｏ２Ｓｉ＋Ｃｏｓｉ─→ＣＯＳｉ─→Ｃｏｓｉ＋ＣｏＳｉ２

关键词: 薄膜 , null , null