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李小武 , 王中光 , 孙守光 , 吴世丁 , 李守新 , 李广义
金属学报
本文系统研究了[011]多滑移取向铜单晶体在不同塑性应变幅下循环饱和后的表面滑移特征.结果表明，[011]多滑移取向铜单晶体的疲劳极限低于[001]多滑移取向铜单晶体.当应变幅γpl≥2.5×10－3时，表面出现两种宏观形变带（DBI和DBII）；它们呈严格的正交关系，其形成可能与循环加载中产生的不可逆晶体旋转密切相关.当应变幅γpl≥5.0×10－3时，表面还出现DBIII形变带，其惯习面为（001）；此类形变带的出现是［011］单晶体在高应变幅下循环达到峰值应力后出现明显循环软化现象的根本原因
关键词: [011]多滑移取向铜单晶体 , cyclic deformation , deformation band , rotation of crystal
本文在一个较宽的塑性应变幅范围（γpl=1.1×10-4-7．2×10-3）内研究了[011]多滑移取向铜单晶体的循环形变行为.结果表明，[011]晶体的循环形变行为明显不同于[011]和[111]多滑移取向的铜单晶体.[011]晶体具有较低的初始硬化速率，即使在较高的塑性应变幅下，初始硬化速率也无明显变化.［011］晶体的循环应力-应变曲线（CSSC）在所研究的塑性应变幅范围内呈现平台区.CSSC上是否存在平台区，主要由晶体本身的滑移特点和相应的位错反应所决定.疲劳滞后回线形状参数VH在某种程度上可用于确定[011]多滑移铜单晶体的PSB萌生应力
关键词: [011]多滑移取向铜单晶体 , cyclic deformation , hysteresis loop , plateau region in CSSC
