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高质量半绝缘Φ150mm 4H-SiC单晶生长研究

彭燕 , 陈秀芳 , 彭娟 , 胡小波 , 徐现刚

人工晶体学报

采用数值模拟研究PVT法Φ150 mm 4H-SiC单晶生长的功率、频率选择、坩埚位置及保温厚度等关键生长参数.研究表明Φ150 mm 4H-SiC单晶生长功率是2inch 4H-SiC生长功率的2倍,优化的加热频率在5 kHz以下,系统分析不同生长参数下生长腔内径向及轴向温度梯度的变化规律.在此基...

关键词: Φ150 mm 4H-SiC , 数值模拟 , PVT法