何茗
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张树人
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周晓华
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李波
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张婷
材料导报
基于第一性原理的平面波赝势方法(PWP)的局域密度近似(LDA)/广义梯度近似(GGA)计算了β-CaSiO3的几何结构、能带结构、态密度和光学性质.其晶胞参数优化结果与实验相比,LDA/GGA的相对误差为-3.62%/1.91%.对优化后的β-CaSiO3晶体进行能带结构分析表明,β-CaSiO3晶体为间接带隙结构,禁带宽度Eg(LDA)=5.53eV,Eg(GGA)=5.18eV.对态密度图及Mulliken电荷分布的分析表明,Ca的d轨道有电子分布,即Ca的s、P、d轨道均参与了成键.β-CaSiO3晶体中Ca与SiO3基团之间形成的化学键主要是离子键,而Si与O之间的化学键是共价键.
关键词:
β-CaSiO3
,
能带结构
,
电荷分布
,
价键
张稚雅
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王育华
功能材料
以CaSiO3-B2O3系化合物为研究对象、Mn作为发光中心,探索了其作为高亮度发光材料的可能性.用高温固相法于1150℃、3h、N2气氛下合成了CaSiO3:0.066Mn,0.008Pb-B2O3系列单相粉末样品并研究了其发光特性.结果表明,当B/(B+Si)质量比≤0.3时样品为β-CaSiO3单相,随着B2O3含量的变化,没有观察到X射线住置的明显变化,这说明B的固容量有限.当B/(B+Si)质量比>0.3时发现有杂质相.在254nm激发下,观察到最大强度位于617nm的红色发射峰且B/(B+Si)质量比=0.3时达到最大.147nm真空紫外激发下的发射峰和紫外激发下的一致,发射强度也在B/(B+Si)质量比=0.3时达到最大;617nm监控下的VUV激发光谱由峰值位于185和253nm的两个激发带构成,分别归属于基质吸收和激活离子激发.
关键词:
β-CaSiO3
,
UV/VUV
,
荧光体
