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γ-B28光学性质的第一性原理研究

马松山 , 徐慧 , 夏庆林

材料导报

利用基于密度泛函第一性原理的GGA方法,计算研究了硼的高压相γ-B28的能带结构、态密度、分态密度和光学性质.计算结果表明,γ-B28具有半导体能带结构的特征,其带隙达1.619eV,且整个带结构由杂化的硼2p态和2s态组成,且2p态占主导地位.γ-B28的静态介电常数为11.0733,静态的折射率...

关键词: γ-B28 , 光学性质 , 电子结构