许岗
,
介万奇
,
王领航
,
孙晓燕
人工晶体学报
利用Aligent4155型CVIV测试仪分别对Au/HgI2、AuCl3(Au)/HgI2、C(石墨)/HgI2接触的,Ⅰ-Ⅴ特性进行了测定,对比研究了不同电极材料与α-HgI2晶体所形成的接触特性,并利用热电子发射理论对实验结果进行了分析.结果表明,AuCl3和C均能与HgI2形成良好的欧姆接触,其欧姆特性系数分别为1.0291和0.9380,接触电阻分别为3.0×108Ω和1.0×108Ω;而溅射Au与Hg2接触的欧姆特性较差,欧姆系数约为0.8341,接触电阻为3.5×109Ω.这说明AuCl3,在HgI2表面形成了重掺杂,产生显著的隧道电流,从而形成了较理想的欧姆接触.C(石墨)化学性能稳定,电极制备工艺没有影响晶体表面质量,因此C(石墨)/HgI2接触电阻最小,并具有良好的欧姆特性.而溅射Au过程中由于温度升高引起晶体表面HgI2分子的挥发,造成晶体表面质量下降,导致Au/HgI2接触的欧姆特性变差.
关键词:
碘化汞
,
金
,
石墨
,
氯化金
,
电极
,
Ⅰ-Ⅴ特性
,
接触电阻
涂洁磊
,
陈庭金
,
王履芳
工程热物理学报
为充分利用太阳光的短波部分,将AlxGa1-xAs设计为电池的又一个光伏工作层,并引入固定负电荷,建立界面感应势垒,形成MIp+-AlGaAs感应结,有效降低界面对光生电子的复合.以制作工艺简单的p+-AlGaAs/p-GaAs界面,将感应结与p/n-GaAs部分连接起来,构成新型高效率复合结构MIp+-Al0.3Ga0.7As/p-n-n+-GaAs太阳电池.其I-Ⅴ特性理论研究结果表明,选择合适的负电荷面密度数和Al0.3Ga0.7As层的掺杂浓度,即:建立合适高度的感应势垒,可显著降低界面复合速度近8个数量级.优化设计得到的整个电池的效率为31.5%,较传统的窗口层电池有明显提高.
关键词:
MI-AlGaAs/GaAs太阳电池
,
固定负电荷
,
感应势垒
,
Ⅰ-Ⅴ特性
赵毅
,
杨德仁
,
周成瑶
,
阙端麟
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2003.04.010
用旋涂法实现了多孔硅与聚乙烯咔唑(PVK)的复合,研究了多孔硅/PVK复合体系的光学性能和电学性能.PL谱的测试发现,复合体系的PL同时具有多孔硅和PVK的峰.此外,在485nm的位置出现了一个新峰,讨论了这个峰的来源.Ⅰ-Ⅴ特性测试表明,多孔硅/PVK异质结与多孔硅相比,Ⅰ-Ⅴ曲线呈现更好的整流特性,讨论了其原因.
关键词:
多孔硅
,
发光
,
Ⅰ-Ⅴ特性
,
PVK
王超
,
庄大明
,
张弓
,
吴敏生
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2003.03.019
采用直流脉冲反应磁控溅射方法制备了高介电常数五氧化二钽(Ta2O5)薄膜.利用Ta/Ta2O5/Ta的MIM电容结构分析了Ta2O5的电学性能,研究了上电极面积对Ⅰ-Ⅴ特性的影响、Ⅰ-Ⅴ曲线的对称性和零点偏移以及薄膜缺陷和基底粗糙度对MIM电学性能的影响.结果表明,随着上电极面积增大,电容的漏电流密度增大,击穿场强减小.氧化钽薄膜中缺陷的存在和粗糙度增大容易引起漏电流增大,击穿强度降低.当上电极直径为1 mm时,MIM电容的性能最佳:击穿强度为2.22MV/cm,漏电流密度低于1×10-8A/cm2.
关键词:
无机非金属材料
,
氧化钽薄膜
,
磁控溅射
,
金属-绝缘体-金属
,
Ⅰ-Ⅴ特性
夏冬林
,
刘梅冬
,
赵修建
,
周学东
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.02.016
以乙酸铅(Pb(CH3COO)2·3H2O)、钛酸四丁酯(Ti(OC4H9)4)、硝酸锆(Zr(NO3)4·5H2O)替代锆醇盐为原料,通过在Pt/Ti/SiO2/Si基片与PZT薄膜之间引入PT种子层,采用改进的sol-gel工艺制备出无裂纹,致密性好,晶粒尺寸小且分布均匀的单一钙钛矿结构的Pb(Zr0.53Ti0.47)O3铁电薄膜.实验结果表明,具有PT种子层的PZT铁电薄膜电性能较好.经600℃热处理的具有PT种子层的PZT薄膜,在1kHz测试频率下,其剩余极化强度和矫顽场分别为20μC/cm2和59kV/cm,介电常数和介电损耗分别为385和0.030.
关键词:
锆钛酸铅(PZT)薄膜
,
PT种子层
,
sol-gel法
,
快速热处理
,
电滞回线
,
Ⅰ-Ⅴ特性
