杨媛媛
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王新强
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何阿玲
功能材料
采用基于密度泛函理论和Hartree-Fork的第一性原理方法,计算了CdS、CdSe、CdTe、HgTe等Ⅱ-Ⅵ族化合物中原子间的两体及三体相互作用势,分析了基组及计算方法的选择对计算结果的影响.采用Lennard-Jones、Born-Mayer和Morse势函数对两体相互作用势进行拟合,得到相应的拟合参数及误差值,结果表明普遍应用于共价分子的Morse势也同样适用于Ⅱ-Ⅵ族原子二聚体.考虑到多体相互作用势必须考虑角度因素,采用Stilling-Weber势函数对三体势进行了拟合研究,结果亦较为理想.
关键词:
Ⅱ-Ⅵ族化合物
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原子间作用势
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第一性原理
,
势能拟合
李焕勇
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介万奇
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熊鹏
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付红志
稀有金属材料与工程
在NiE(E=S,Se)纳米粒子辅助下,采用CVD方法,在NiE(E=S,Se)-Zn系统中成功生长出立方闪锌矿结构一维ZnE(E=S,Se)纳米线.生长的ZnSe和ZnS纳米线长度达几十微米,具有接近理想化学计量比的成分和较高的结晶质量.研究表明,ZnE纳米线生长过程中,ZnNi合金充作实际的催化剂,生长遵循氧化还原反应助VLS机理.基于此机理,通过调控NiE纳米粒子的尺寸可以有效控制ZnE纳米线的直径.
关键词:
Ⅱ-Ⅵ族化合物
,
纳米线
,
ZnS
,
ZnSe
,
VLS生长机制
余文涛
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李焕勇
,
介万奇
,
刘正堂
人工晶体学报
本文采用开放体系对两单质加反应促进剂I2合成的ZnSe多晶原料进行了提纯.以高纯氩气为保护气体,提纯温度分别为500 ℃、550 ℃和800 ℃.能谱分析(EDS)和热重图谱(TG)结果表明:800 ℃处理后的ZnSe多晶原料,其化学计量比与理想化学计量比非常接近,而且升华开始温度提高到了850 ℃以上.运用化学气相输运(CVT)法进行晶体生长结果进一步表明,以800 ℃处理后的ZnSe多晶为原料时,消除了单质Se在生长区沉积对晶体成核生长的影响,达到了CVT法晶体生长对原料的要求.此外,以混合气体(H210%+Ar 90%)作为保护气时,在同等条件下处理后的ZnSe多晶原料,其化学计量比更加接近理想化学计量比,较氩气保护下的处理效果要好.
关键词:
Ⅱ-Ⅵ族化合物
,
硒化锌
,
化学计量比
,
开放体系
钟柳明
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王占勇
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金敏
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张伟荣
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刘文庆
,
徐家跃
材料导报
介绍了以光电应用为背景的大尺寸ZnTe单晶生长技术的研究进展,综述了大尺寸ZnTe单晶不同生长技术的特点及其对单晶性能的影响,重点分析了为解决ZnTe生长过程中存在的蒸汽压过高的问题,通过控制提高Te的比例,实现低温低压生长,对比了不同生长方法的生长机理差异及其对单晶尺寸、缺陷和性能的影响,为寻求解决大尺寸单晶生长面临的问题提供了参考.
关键词:
Ⅱ-Ⅵ族化合物
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ZnTe
,
单晶生长
