陈立彪
,
朱小溪
,
李川
,
刘敬华
,
蒋成保
,
徐惠彬
金属学报
doi:10.3724/SP.J.1037.2010.00343
采用悬浮区熔法,加入籽晶控制生长取向,以4 mm/h的生长速度,制备了轴向〈001〉择优取向的Fe81Ga19单晶.极图测试结果发现,采用偏离轴向〈001〉方向约5°的籽晶生长得到的单晶,生长始端和生长末端轴向取向分别偏离〈001〉取向5°和4°,上下取向差仅为1°.另一单晶采用轴向〈001〉取向籽晶生长得到,当施加60 MPa压力时,饱和磁致伸缩性能达到0.0324%.测试了〈100〉,〈110〉和〈111〉取向单晶的初始磁化曲线,利用初始磁化曲线,计算得出Fe81Ga19单晶的磁晶各向异性常数值K1和K2,分别为1.3×104和-2.6×104 J/m3.
关键词:
Fe81Ga19单晶
,
〈001〉取向
,
磁致伸缩
,
磁晶各向异性
