孙保平
,
庞山
,
胡彬彬
,
杨光红
,
万绍明
,
杜祖亮
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2013.12148
以F掺杂透明导电玻璃(FTO)为基底,利用一步电化学沉积法制备了Cu(In1-x,Gax)Se2(CIGS)薄膜,系统地研究了电解液pH值对CIGS薄膜的化学组分、结构及其光电性能的影响.结果显示通过改变电解液pH值可以有效调控薄膜中In和Ga的化学计量比.X射线衍射(XRD)分析和扫描电子显微镜(SEM)结果表明,pH值为2.0时制备的CIGS薄膜结晶性较好,颗粒尺寸分布均匀.并且利用表面光伏技术研究了不同化学计量比对CIGS薄膜中光电荷动力学过程的影响,结果表明n(Ga)/n(In+Ga)约为0.3时,CIGS薄膜的光电性能最好.
关键词:
Cu(In1-xGax)Se2薄膜
,
一步电沉积法
,
pH值
,
表面光伏
