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一水甲酸锂晶体生长动力学和生长机理的研究

王燕 , 于锡玲 , 孙大亮 , 殷绍唐

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2001.02.008

本文实时测定了312.16K时一水甲酸锂晶体(LFM)(010)和(021)面的生长速率。根据Bennema修正的用于水溶液晶体生长的BCF表面扩散模型,计算了晶体生长过程的激活能以及动力学系数。结果表明LFM晶体生长主要是表面扩散控制的螺位错生长机制。

关键词: 一水甲酸锂晶体 , BCF表面扩散模型 , 非线性光学晶体 , 晶体生长动力学 , 生长机理 , 激活能

一水甲酸锂晶体生长界面过饱和度的测量

王燕 , 于锡铃 , 殷绍唐

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.06.023

本文采用激光全息相衬干涉显微术研究了有机非线性光学晶体一水甲酸锂晶体的生长,计算了晶体生长的界面过饱和度.我们的研究结果表明,晶体生长的界面过饱和度随体过饱和度的增加而非线性增加;不同晶面的界面过饱和度不同;当体过饱和度增加到一定程度时,不同晶面的界面过饱和度趋于相同.

关键词: 一水甲酸锂晶体 , 边界层 , 界面过饱和度

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