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射频溅射ZnO作为GaN厚膜生长缓冲层的工艺研究

王如 , 杨瑞霞 , 张俊玲 , 徐永宽

功能材料

采用射频磁控溅射法制备出了适用于HVPE-GaN厚膜生长的ZnO缓冲层,利用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)和光致发光(PL)等分析方法表征了ZnO缓冲层以及HVPE-GaN厚膜的晶体性能.实验结果表明,采用溅射功率为60W、氩气压强为2.0Pa、蓝宝石衬底为室温条件下的溅射工艺获得了(0002)单一取向、晶界清晰、晶粒尺寸均一的ZnO薄膜,以它为缓冲层获得的GaN厚膜XRD的(0002)衍射峰半高宽(FWHM)为265secarc,室温PL谱未见明显黄光发射带.

关键词: ZnO缓冲层 , 晶格失配 , 三维岛状生长 , 射频磁控溅射

Co在Pt(111)面上电结晶的STM及REM研究

印仁和 , 施文广 , 秦勇 , 曹为民 , 吕康 , 周天健 , 张益 , 于新根

金属学报

采用0.05mol/L H3BO3+0.01mol/L CoSO4溶液, 在Pt(111)面上获得了电结晶Co利用电化学扫描隧道显微镜(ECSTM)及反射电子显微镜(REM), 观察了不同过电位时Co的成膜过程, 证实了Co在Pt(111)面上的电结晶均为三维岛状生长方式.

关键词: 电结晶 , null , null , null , null

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