孟国云
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陈泽宇
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刘永
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魏丽莹
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汪正良
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唐怀军
无机材料学报
doi:10.15541/jim20150179
将硅酸乙酯水解得SiO2溶胶,陈化ld后掺入15.0wt%阳离子铱(Ⅲ)配合物[Ir(ppy)2(o-phen)] [PF6](ppy∶2-苯基吡啶;o-phen∶1-乙基-2-(4-(5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基)-苯基)-1H-咪唑并[4,5-f][1,10]菲哕啉),45℃恒温3d后室温放置10d得干凝胶,再经研磨和150℃干燥8h制得黄色发光微粉.将所得的发光微粉按6.0、9.0、12.0、15.0、18.0和21.0wt%掺入到环氧树脂中,作为下转换发光材料涂敷在395 nm发射的InGaN芯片上制备成LED器件.掺入12wt% SiO2微粉的LED发光性能最佳,在40.0 mA正向电流和5V反向电压下,该LED达到最大发光效率51.9 lm/W,CIE色坐标为(0.42,0.42).
关键词:
阳离子铱(Ⅲ)配合物
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发光二极管
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下转换发光材料
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溶液-凝胶法